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光电工程
维普资讯
笫 31卷 增刊 光电工程 Vo1．31，Sup
2004年 12月 to—ElectronicEngineering Dec，2004
文章编号：1003—501X(2004)Sup一0124—03
LiBq4／ITO和 LiBq4／CuPc／ITO表面
的AFM 与XPS分析
欧谷平 ，宋 珍2，桂文明 ，徐 勇 ，张福甲
(1．兰州大学物理系，甘肃 兰州 730000；2．北京机械工业学院基础部 ，北京 100085)
摘要：用AFM对蓝色OLED的空穴传输层LiBq4／frO和LiBqa／CuPc／ITO表面扫描 结果均呈岛
状结构。LiBq4沉积在 ITO上成膜较差，在CuPc上成膜较好。说明加入CuPc能有效改善LiBq4
的成膜质量。XPS对样品表面 In3d和Sn3d的电子状态分析也证实ITO表面沉积LiBq4膜存在裂
缝，加入CuPc可抑制裂缝出现。分析指出，CuPc由于Cu(II)离子半满的dx2-y轨道在ol、啉环平
面内和氮强烈作用形成离域大兀键，使LiBq的沉积状态改善。
关键词：发光材料；蓝色OLED；缓冲层CuPc
中图分类号：TN383 文献标识码：A
SurfaceanalysisusingAFM andXP’Sfor
LiBq4／ITO andLiBq4／CuPc／IITO
OUGu-ping，SONGZhen，GUIWen-uring，XUYong，ZHANGFu-jia
(1．SchoolofPhysics，LanzhouUniversity，Lanzhou73oooo，China；
2．Foundationdepartment，BeijingInstituteofMachinery，Beijingl00085，China)
Abstract：ThesurfacesoftheblueOLED withholetransmissionlayersLiBq4／ITO andLiBq4／CuPc／ITO
arescannedbyAFM ．Theresultsshow thatboth layersrepresentisland—likestructure．Thequalityof
LiBq4film depositedonITO ispoorwhilethatofLiBq4film depositedonCuPcisgood whichsaysthat
，
thesublimationofCuPchelpsimprovethequalityofLiBq4film．TheanalysisofsurfacesofIn3dand
Sn3dspecimensbyXPSprovidesadditionalevidencethatthereexistsomeslitsinthefilm ofLiBq4
whendirectlybeingdepositedonto ITO surface．ThesublimationofCuPcon thesurfaceofITO can
conrtoltheexistenceofslits．M oreovertheoreticalanalysisshowsthatthestronginteractionbetween
partlyfull
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