SnO-%2c2-一维纳米结构的控制生长与表征.pdfVIP

摘 要 Sn02是一种典型的半导体型金属氧化物，其禁带宽度为3．6eV (300K)。由于Sn02一维纳米材料具有特殊的物理性质，以及在光 电子装置、气敏传感器、透明电极、太阳能电池等领域有着广泛的应 用前景，使得其倍受关注。改进一维纳米材料的制各方法以获得离散 性好、具有特定微结构的Sn02一维纳米结构体系正成为当前的研究 热点。 本文运用化学气相沉积法通过控制反应物配比及载气中的氧含 量等宏观实验条件，实现了Sn02一维纳米结构的控制生长，成功获 得sn02各种不同横向尺度的纳米线、纳米带以及针状纳米结构。实 验结果显示：Sn02一维纳米结构生长过程中所遵循的生长机理可能 与生长点附近锡与氧的相对含量有密切关系，调节高温生长点附近锡 与氧的相对含量可以较精确地控制SnOz一维纳米结构的生长。 通过改变生长区内气压和衬底位置，成功得到大多数垂直衬底生 长的sn02微纳米丛簇和树刺状、试管刷状等Sn02自组装微纳米结构， 并浅略地分析了这些结构的生长机理和可能的形成原因。衬底处较高 的蒸气浓度是制各出这些自组装结构的关键。 由于二氧化锡具有优异的气敏特性，在气体传感器领域得到了重 要应用。为了进一步提高其对气体的选择性和灵敏度，提高其工作稳