ZnO电子结构与属性的第一性原理的研究.pdfVIP

中文摘要 znO基半导体在蓝光和紫外光发射、 高密度存储、气敏传感器、表面声波器 件、太阳能电池、显示器件、压电器件、 高温微电子器件、光电子器件等方面显 示出广阔的应用前景，使其成为继GaN之后光电研究领域又一热门的研究课题。 目前，尽管对知0电子结构、光学性质、表面和界面等方面进行了大量的理论和 实验研究，但确切的电学性能、光学性能等仍存在着分歧。本文采用基于密度泛 函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，对zn0电子结构、掺杂改性、光学 性质、体弹性模量以及应力下znO电子结构等性质进行了研究，所用软件为 Mat鲥als StudiD3．2中的CASTEP软件。主要研究内容及其结果如下： 一、计算了纤锌矿Zn0晶格常数、能带结构、键结构、差分电荷密度、态密 度和体弹性模量。znO理论预测是一种直接禁带半导体材料，导带底和价带顶都 位于布里渊区中心r点处，直接带隙3．37苦V。 二、利用材料模拟软件cAsTEP精确计算了介质跃迁矩阵元，给出了ZnO的 能量损失谱、介电函数、反射系数、消光系数以及其它相关光学参数。利用半导 体带间跃迁理论和znO电子结构信息，对介电谱图和反射谱