ZnO-LED关键材料的光致发光和载流子复合特性的研究.pdf

摘 要 ZnO具有直接带隙宽(室温下为3．37ev)、激子束缚能高(60meⅥ等优点，在 短波长发光器件应用方面有广阔的前景。要研制高效率的发光器件，如发光二极 管(LED)，必须对ZnO．LED结构中的关键材料的光学性质、载流子复合特性以 及缺陷杂质行为有深入的理解。光致发光(PL)等光谱分析方法是研究上述问题的 有力手段。因此，本文用低温、变温稳态光致发光谱、荧光衰减谱、红外吸收谱、 ZnMgO／ZnO多量子阱的结构、光学性质以及光激发载流子弛豫和复合特性。研 究发现： 1．采用AI-N共掺的方法在实现ZnO薄膜P型导电的同时，也在薄膜中引入应 变。发现应变使ZnO薄膜的带隙增大，给出二者之间的近似线性关系。在共 结果支持了文献报道的理论计算结果。通过对薄膜应变状态和晶格振动谱的 分析，结合薄膜电学性能，揭示了Al和N杂质在ZnO晶格中的可能构型及 其随温度和Al含量变化的演变行为。 2．A1．N共掺ZnO薄膜中，首次发现Al施主和N受主的互补偿作用导致载流子 meV。载流子局域化引起PL谱中3．05 局域化效应，给出局域势阱深度约17 ev附近的发光峰随温度升高出现S形红移一蓝移一红移现象。用载流子局域 化模型解释了该发光