波长1.3μm高速光电探测器的研究.pdfVIP

Y 3 780、9 摘 要 综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度性能，优化设计了Ga I nAs／I ’_--_●。_^_一 nP PI N 光电二极管的结构参数，解决了长波长商速光电探测器制作的关键 a I nA n 技术如：高纯、超薄G s／I P材料的速担筮堑生棼；有源区的浅结扩 散技术：为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术：小光敏面的光耦合技术等，采用 同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaI nAs／InP PI N d 0GH A 高速长波长光电探测器的3 B带宽达到2 z，响应度为0．7 ／w，暗电流小于