掺杂AlN的理论与实验的研究.pdf

摘 要 氮化铝（AlN ）是直接带隙宽禁带（~6.2 eV ）III-V 族半导体材料，在短波长光电 子器件领域具有重要应用价值。但是，实现 AlN 材料在光电器件上的广泛应用还面临 重大挑战－难以获得有效的 p 型层。利用第一性原理的全势－线性缀加平面波 (FP-LAPW)方法，我们研究了纤锌矿 AlN 材料的本征缺陷及 IIA 族元素（Be, Mg 和 Ca ）掺杂AlN 的p 型效率。结果表明氮空位(VN)在 AlN 材料中具有低的形成能并引入 较深的施主能级，而在闪锌矿 AlN 和 GaN 中，VN 引入浅施主能级。计算得到的 BeAl ， MgAl 和 CaAl 在 AlN 中引入的受主能级深度分别为0.48, 0.58 和 0.95 eV 。在p 型AlN 中， 处于间隙位置的 Be （Be ）表现为施主且具有较低的形成能，这使得它们很可能成为p i 型 AlN 中空穴的复合中心，然而，在富氮（N-rich ）生长条件下Be 的形成能明显提高。