P波段微波注入反相器模数转换电路的响应.pdfVIP

第 23卷第 3期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．23，NO．3 2011年 3月 HIGH POWER IASER AND PARTICLE BEAM S Mar．，2011 文章编号 ： 1001—4322(2011)03—0749—06 P波段微波注入反相器模数转换 电路的响应 朱占平， 钱宝良， 王弘刚， 赵素波 (国防科学技术大学 光电科学与工程学院，长沙 410073) 摘 要 ： 利用设计 的三反相器模数 (A／D)转换 电路 ，开展 了P波段微波注入实验 。采用眼图观测法对电 路的线性响应进行 了有效测量 ，推导了实验线路 中微波注入效率公式，利用～种实时温度检测 电路来验证芯片 工作状态 的稳定性 ，并利用统计检验 的方法分析 了不同芯片及 电路板等对实验数据获取的影响，从而保证 了实 验的有效性和可信度 。重点研究了注入微波的幅值、频率 、脉宽及重复频率等参数对反相器正常工作 的影响。 实验结果表明：当注入微波信号脉 宽大于 70ns时，电路信号在微波脉冲结束后 ，相邻脉冲脉宽变化 1O 的非 线性干扰功率阈值 ，比使 电路信号噪声容限降低 5O 的功率阈值大 4～6dB，电路信号脉宽变化 3o 的功率阈 值 比脉宽变化 lO 的大 2～3dB，在功率小于 32dBm 的实验 中得到的最大非线性干扰为脉宽变化约 4O 。非 线性干扰 阈值 随注入微波信号脉宽变化明显 ，拐点为 4O～70ns。注入微波的重复频率对微波干扰 阈值影 响很 小 。 关键词 ： P波段 ； 注入实验 ； 线性干扰 ； 统计检验 ； A／D转换 电路 中图分类 号 ： 文献标志码 ： A doi：10．3788／HPLP0749 微波对 电子系统具有干扰 、损伤等效应 ，已为 国内外研究所证实 ，并在实验 中得到了重要损伤规律，目 前逐渐成为该领域的重点研究对象之一 。低功率注入实验是微波效应研究的重要方法，国内外 已广泛开展了 注入效应实验研究 ]。数字 电路 的发展表明，互补型金属氧化物半导体 (CMOS)器件为当前和近年 内的主 导器件口 。最典型的CMOS数字电路器件基本单元门电路为反相器 ，它包括除了逻辑功能以外的几乎全部的 CMOS数字电路直流特性和开关特性 。近几年电磁兼容及电磁脉冲效应的研究大多针对 CMOS反相器展 开[1 。CMOS器件及 电路的微波注入实验也逐步开展 ，得到了 1～2GHz即L波段微波脉冲波和连续波 的 误码率阈值及 I波段高速 CMOS翻转频率响应 曲线，结果表明引起误码率的脉冲峰值 阈值略低于连续波注入 情况l3 ]，而对于特定尺寸的 CMOS单元 ，存在特定的耦合共振频带 ，容易引起翻转误码[192o]。根据电路理 论 ，几乎全部的模拟电路都可由少数的几个基本 电路模块来构成 ，因此对这些基本电路单独进行分析，可弥补 元器件和复杂电路的分析的不足 ，为进一步对复杂电路的微波响应提供数据支持与参考 。低频率段的微波对 电子系统效应影响明显 ，文献 [21]的总结表明，微波干扰 电子系统 的场强阈值与频率近似成线性关系，P波段 微波对电子系统作用尤为明显。本文设计了一种三反相器模数 (A／D)转换电路 ，从单元 电路层次开展了P波 段微波注入实验 ，重点研究了注入微波的幅值 、频率、脉宽及重复频率等参数对 电路工作状态的影响。 1 电路设计及分析 本文选用 Philips公司的 74HC04作为效应电路 的 核心反相器元器件 ，用 3个 CMOS反相器和无源元件构 成单元电路 ，完成数字 电路 的缓冲级及 A／D转换功能。 文献[22]中所给数据高低电平转换时间约为 7ns，测试 条件为输入信号上升下降沿均小于 6ns。根据模拟波形 图(图 1)可知 ，74HC04三反相器 电路最快 只能响应 20 MHz左右的信号 ，上升沿为 5ns左右 ，符合电子系统普 time|ns 遍使用的电路标准。 Fig．1 Si