SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究.pdf

第 32卷第 4期 粉末冶金技术 V0l_32．No．4 2014年 8月 PowderM etallurgyTechnology Aug．2014 SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷 陛能的影响研究 高 鹏一 贾成厂一 曹文斌 崔照雯 常宇宏 刘建金 王聪聪 (北京科技大学材料科学与工程学 院，北京 100083) 摘 要 ： 以氮化铝和纳米碳化硅为原料 ，无烧结助剂 ，l600oC下保温 5min，放 电等离子烧结 (以下简称 SPS)，制备 了A1N—SiC复合陶瓷。利用扫描电镜 ，能谱分析仪 ，XRD，安捷伦 4284ALRC阻抗分析仪等对其致 密度 ，显微结构，表面成分，生成的主要物相 ，介 电损耗和介 电性能进行分析。结果表 明，A1N—SiC复合陶瓷的 致密度在 91％以上 ，物相主要有作为原料的A1N和 p—SiC，以及烧结之后生成 的2H—SiC和 FeSi；随着 SiC含 量的增加 ，材料 的介 电损耗 ，介 电常数相应增加 ；SiC含量在 30％ 一40％(质量分数 ，下同)之间，1MHz以下的 损耗角正切 tan8≥O．3，表 明纳米 SiC具有较强的吸波性能。相 同含量 的碳化硅 ，材料 的介电常数和介电损耗 随着频率 的增加而 降低 。 关键词 ：A1N—SiC复合陶瓷，氮化铝 ；纳米碳化硅 ；SPS；介 电损耗 EffectsofSiC contenton thedielectricpropertiesofAIN-SiC compositeceramics GaoPeng，JiaChengchang，CaoWenbin，CuiZhaowen，ChangYuhdng，LiuJianjin，WangCongcong (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofScienceandTechnology Beijing，Beijing100083，China) Abstract：A1N—SiCcompositeswhichA1N andnanoB—SiC acted astheraw materialswerepreparedbySPSatthe temperatureof1600 for5 rain withoutany sinteringadditivesin a vacuum atmosphere．The microstructure the ， producedphases，dielectric constantand lossatngentof the ceramics were characterized by scanning electron microscopy，XRD ，andAgilent4284A LRC automatictesterrespectively．Theresultsshow thatthemainphaseare A1N andbetaSiC aswellas2H—SiC andFesSi3generatedbysintering．Therelativedensitiesofsinteredceramicsare inexcessof91％ ．ThelosstangentanddielectricconstantisincreasedbytheSiC contentincreasing．