探索Bi2O3SiO2系统高温熔体结构的各向异性.docVIP

[本报告严格按面上项目撰写提纲撰写] 探索Bi2O3-SiO2系统高温熔体结构的各向异性 立项依据与研究内容 1 项目的立项依据 1.1 研究意义 硅酸铋（BSO）是一种十分重要的材料，具有独特的光电、电导、声光、压电、铁电性能，可以用来制造高性能光折变晶体、光变色玻璃、高温超导体、电子陶瓷、高选择性催化剂等，在工业、国防、航空、航天、信息、环境、生物医学等领域具有广泛的应用。研究Bi2O3-SiO2系统是掌握形成氧化铋和含铋氧化物材料的重要基础。近年来，有关Bi2O3-SiO2系统的研究大多围绕相平衡、Bi12SiO20单晶制备、材料性能测定及应用展开。已知该系统熔体中可以析出的晶体有Bi12SiO20，Bi4Si3O12和Bi2SiO5。其中前两种是稳定化合物，Bi2SiO5是亚稳态。Bi12SiO20单晶制备及应用已较成熟，但是针对Bi2O3-SiO2系统中Bi4Si3O12和Bi2SiO5的晶体生长和性质的报道还不多见。总的来说，目前对该系统的全面研究仍十分欠缺，众多研究工作尚未展开，晶体生长基本规律、条件、性能改善、熔体奇异现象及其对结晶的影响因素还未查明，诸多现象仍然无法解释。因此该系统熔体反应过程和晶行为的研究，对发展该系统新功能晶体材料具有迫切而现实的意义。Bi2O3-SiO2系统如果能够Bi2O3-SiO2系统现象，进一步研究应用，将会得到非常有意义的结果。未来可能用于瞬时高温记录材料和仪器、高温敏感材料和元件、高温的开发这对空间探索、地质资源勘探、功能材料开发等航空、航天、国防、军事、资源、工业和人类生活产生巨大深远的影响。1.2 国内外研究现状及发展动态分析 硅酸铋Bi12SiO20（BSO）晶体是一种宽带隙、高电阻率的非铁电立方半绝缘体，同时具有电光、光电导、光折变、压电、声光、旋光及法拉弟等效应。由于其特殊的光折变性能，在室温下用低功率激光就可实现多种非线性光学变换。这种晶体的灵敏度高、响应速度快，可以反复使用而不发生损坏或疲劳，在实时光信息处理和光计算等技术中有广泛的应用，其中包括实时全息摄影记录材料、PROM和PRIZ空间光调制器、光存储、实时干涉量度、图象转换、相共扼以及光藕合等许多领域。 这些应用对于含Bi2O3材料的制备以及质量有严格的要求。1967年Ballman首次报道了用提拉法制备出BSO单晶。由于该方法的许多优点，如生产设备简单、易于控制、可操作性强、成本低等，提拉法一直是国内外生长BSO单晶的主要方法。但是由于重力场及表面张力等因素的影响，所得的单晶样品不可避免地具有生长条纹、核心及位错等缺陷。另一种较常用的是坩埚下降法和晶体下降法，通过延长铂坩埚熔炼时间和适当降低晶体生长炉温，明显降低了铂包裹体等缺陷，最终获得了50*35*35mm的优良单晶。也有文献报道用水热法生长BSO单晶。这种方法具有生长大尺寸单晶的潜在能力，同时提高了单晶质量，缺点是得到的样品不具有光折变效应。周燕飞等人对比了地面条件下生长的晶体与飞船上生长的单晶性能，发现微重力条件下生长的单晶光学性能明显优于地面生长的晶体。也有人采用化学气相沉积及液相外延法生长了BSO单晶薄膜。提拉法和坩埚下降法是生长大尺寸、高质量BSO单晶的最基本，也是最成熟的方法。近年来，有关BSO晶体的研究主要集中在单晶的掺杂改性以及超细粉体的制备方面。 Bi4Si3O12是一种新型闪烁晶体，是闪烁体Bi4Ge3O12BGO）的最佳替代品之一，具有良好的机械和化学稳定性以及优良的光电、热释光特性。例如，高能正负电子存储环探测器中的BSO量能器。这不仅是由于用价格便宜的SiO2代替昂贵的GeO2可以大大降低原料的成本，而且Bi4Si3O12具有优良的闪烁性能，它的衰减常数为100ns，仅为BGO的1/3，光产额为BGO的20%。亚稳相晶体Bi2SiO5具有介电、热电以及非线性光学等性质，它的非对称晶体结构使其可能具有铁电性质。 图1 Bi4Si3O12晶体的用途（光开关，闪烁体，高温超导体，变色玻璃） 目前Bi2O3-SiO2系统以及含Bi2O3系统熔体结构与特性的研究一方面于含Bi2O3系统亚稳态生成与稳定性研究，主要包括熔体特性以及熔体凝固形成亚稳相的条件。另一方面集中于含Bi2O3的二元及多元组分相平衡的研究，主要包括Bi2O3-AO2A=Si, Ge, Ti, Sn, Se） [22-25]、Bi2O3-A2O3A=Eu, Yb, Er, Gd）[26-28]、Bi2O3-AOA=Ca, Sr, Ba, Zn） [29-31]、Bi2O3-Li2O-Cs2O[]和Bi2O3-TiO2-WO3[3]等。同时，对于含Bi2O3亚稳态晶体的生长和热分解也有一定的研究。 2.1 关于熔体和相平衡 1978年后，俄罗斯科学院化学与化学技术