薄壁开口定向氮掺杂碳纳米管的制备及其优异的场发射性能.pdfVIP

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薄壁开口定向氮掺杂碳纳米管的制备及其优异的场发射性能.pdf

炭 素 2011年第 1期 · 8 · CARBON 总第 145期 文章编号:1001—8948(2011)01~0008~05 薄壁开 口定向氮掺杂碳纳米管的 制备及其优异的场发射性能 崔同湘 ,吕瑞涛 ,康飞宇 ,黄正宏 ,王昆林。,吴德海。 (1.清华大学 材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室,北京 100084; 2.清华大学 机械工程系先进成型制造教育部重点实验室 ,北京 100084) 摘要:以乙腈为碳源,二茂铁为催化剂,用化学气相沉积(CVD)法,制备了薄壁开 口定向氮掺杂的多壁碳纳米 管。在780℃~860℃的生长温度范围内,随着温度 的升高,碳纳米管的场发射效应增强。当生长温度为860 ℃时,制备碳纳米管的开启 电场为0.27、厂/m,阀值 电场为0.49V/~/m,增强因子为1.09×105。与其他材料相 比,这种碳纳米管体现 了非常优越 的场发射性能。 关键词:碳纳米管;薄壁开 口定向;氮掺杂;场发射效应 doi:10.3969/j.issnl001—8948.2011.01—002 中图分类号:TB383 TQ127.1 文献标识码:A SYNTHESISAND EXCELLENTFIELD—EM ISS10N PRoPERTIESoFTHIN —W ALLED ,oPEN —ENDED, W ELL—ALIGNED AND N —DoPED CARBoN NANoTUBES CuiTong—xiang1LuRui—tao1KangFei—yuIHuangZheng—hongI,W angKun~lin2,W uDe—hai2 , , , (1.DepartmentofMaterialsScienceandEngineering, LaboratoryofAdvancedMaterials,TsinghuaUniversity,Beijing100084,China; 2.DepartmentofmechanicalEng ineering,KeyLaboratoryforadvancedmanufacturjngby materialsprocessingTechnologyofMinistryofeducation,TsinghuaUniversity,Beijing100084,China) Abstract:Thin—walled,open—ended,alignedandN—dopedmulti—walledcarbonnanotubes(CNTs)were synthesizedusingacetonitrileascarbonsource,ferroceneascatalystbychemicalvapordeposition(CVD) method.Itisfoundthatthefield—emissionpropertiesbecomebetterasthegrowth temperaturerisesin the rangeof780~ 860℃ .When thegrowth temperatureiskeptat860℃ .theturn—on field is0.27V/lum , thresholdfield0.49V/tLm,field—enhancementfactors1.09×10 .Comparedwithothermaterials,thiskindof CNTsshow outstandingfield—emissionproperties. Keywords:carbonnanotubes;thin~walledopen—ended;N —doped;field—emission properties 收稿 日期:2010—07—25 基金项 目:国家 自然科学基金 50632040)和中国博士后科学基金 (20090

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