黑硅制备及应用进展.pdfVIP

第31卷 第4期 固体 电子学研究与进展 Vo1．31．NO．4 2011年 8月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Aug．，2011 黑硅制备及应用进展 沈泽南 刘邦武 夏 洋 刘 杰 李超波 陈 波 (中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室，北京，100029) 201O-11-29收稿 ，2011-Oi一19收改稿 摘要 ：黑硅作为一种新型低反射率 的硅材料 ，有 良好 的广谱吸收特性 ，在光 电领域将有很好 的应用前景 。概括 地介绍了黑硅的各种制备方法 (飞秒激光扫描、化学腐蚀法和等离子体处理)，以及黑硅在太阳能电池、光 电二极 管、场发射、太赫兹发射等领域的应用 。 关键词 ：黑硅 ；飞秒激光 ；化学腐蚀 ；等离子体处理 ；太 阳能电池 中图分 类号 ：TB34 文献标识码 ；A 文章编号 ：1000—3819(2011)04—0387—06 Advancesin Fabrication and Application ofBlack Silicon SHEN Zenan LIU Bangwu XIA Yang LIU Jie LIChaobo CHEN Bo (KeyLaboratoryofMicroelectronicsDevicesIntegratedTechnology，Instituteof Microelectronics， ChineseAcademyofSciences，BeOing 10029，CHN) Abstract：Blacksiliconasanew materialwithlow refleetivityandbroad—spectrum absorption willbeappliedwellinoptoelectronics．Inthispaper，severalblacksiliconfabricationmethodsin— cluding femtosecond laserscanning，chemicaletchingandplasmatreatmentsareoutlined．And theapplicationsforsolarcells，photoelectrica1diode，fieldemission，and terahertzemissionare alsoproposed． Key words：black silicon；femtosecond laser；chemicaletching；plasm a treatments；solar ceils PACC ：6820；4270G ；8280F 关 ，这就决定了抗反射膜只能起到有限光谱范围的 士 抗反射作用 ，并且对入射光角度也有限制[】]。也有用 口 制绒 的方法在硅片表面用KOH(或NaOH)和乙醇 硅在地球上的储存丰富，易提纯 ，耐高温 ，容易 (或异丙醇L2])混合液湿法制备 ，表面结构呈金字塔 形成 自然氧化物，具有 良好的半导体绝缘层界面 ，因 形 ，但是制绒方法对 晶体材料 的晶向有要求 ，并且反 此晶体硅被大量的用于半导体集成 电路领域。但是 射率随着入射角度变化剧烈口]。 晶体硅本身的高反射率 ，使得其在太 阳能电池 和光 黑硅作为一种反射率很低的硅表面或硅基薄膜 ， 电器件的应用中性 能不佳 。为了减小晶体硅太 阳能