显微结构分析7.ppt

界面的电子衍射特征 无机材料通常是由细小的晶粒的集合体或不同物质的复合体，它们交接面即为界面； 晶界和相界； 晶界可以有多种形式，但可分为一般晶界和特殊晶界。 特殊晶界 倾转境界：倾转轴在界面内 存在一些特殊取向的晶界 有一个共有界面，可以形成孪晶结构，形变孪晶。 晶界位错 晶界位错的模型-Burgers(1939)，Bragg(1940) Frank(1950)和Bilby(1955)完善了晶界位错的模型 晶界位错的模型只适用于小角度晶界 对于大角度晶界，如按照晶界位错的模型，位错密度会高到使位错芯区发生重叠，失去单根位错的意义。 小角度晶界 由一组刃型位错组成 部分共格界面的位错模型 若两个点阵对应的晶面间距差小于15%，则可以通过原子位置的适当调整，使彼此维持一种共格状态，但有某种程度应变的共格关系，界面应变场提高了界面的自由能。 当两个点阵对应的晶面间距差大于15%，无论如何调整界面两侧原子的位置，也不能维持完全的共格关系，这时需要每个一定距离引入一根位错，这就是部分共格界面。 点阵错配度δ 两平行晶面间距分别为aα和aβ， δ=2(aβ- aα)/(aα+ aβ) 界面失配位错的Burgers矢量垂直于界面两侧相平行的晶面，并在界面内，有 │b│= (aα+ aβ)/2 每两根失配位错的间距为 D=│b│/δ= (aα+ aβ)2/4(aβ- aα) 如果位错密度过大，密集的位错分布使得它们的芯部彼此重叠，整个界面不再有共格区，变成完全不共格界面。 δ0.25，每四个晶面就有一根位错。 如果δ比较适中，如面心和体心立方相{111}f//{110}b，δ=0.025，相应的│b│=0.2nm，D=8nm，这样的界面错配位错适合观察。 界面多面体堆垛模型 大角度晶界中在界面的一定范围内原子的排列形成了一定的三维多面体结构，这种多面体是下面七种Bernal多面体之一。 由于旋转轴的不同，形成晶界时，除了多面体不同以外，多面体的排列间隙也有变化。 多面体的空间体积和能量可以通过位于多面体顶点处原子的互作用势计算。 界面除了出现多面体空间外，有时还会有空洞或其它的排列结构，当某些元素通过偏聚的方式进入这些空间应是降低系统能量的自然方式。 扭转晶界 倾转轴垂直于界面内 重位点阵 结构相同但取向不同的相邻两个晶体按各自的点阵周期相向扩展，形成彼此贯穿的空间点阵，在这个贯穿点阵中两种点阵的某些阵点将按一定规律周期性发生位置重合，将这些位置重合的阵点作为一个新点阵就得到所谓的重位点阵(coincident site lattice, CSL)。位置相重的阵点数对两个点阵是相同的。 重位点阵的表示方法 发生位置相重的阵点在原点阵中所占的比例称为重位位置密度，定义为1/Σ。Σ也可以理解为重位点阵单胞体积与原点阵单胞体积之比。 Σ=1，是单晶，没有晶界面。 Σ越大，重位的阵点越少。 重位点阵的描述 旋转轴为[uvw]，转角为θ。r和s是以原点阵坐标系表示的某重位点阵矢量，有 Σ=r2+s2(u2+v2+w2)，tgθ=(u2+v2+w2)1/2s/r 如r=2, s=1, [uvw]=[001], Σ=5, θ=36.9o。 原点阵单胞参数为a、b，CSL单胞参数为A、B，则tg(θ/2)=bs/ar，令M=b/a，则 θ=2tg-1(Ms/r) Σ代表CSL单胞与原单胞体积之比，即Σ=AB/ab 如果CSL点阵是原点阵的放大，二者相似，有a/b=A/B，于是 Σ=AB/ab=(b/a)A2/ab=(a2r2+b2s2)/a2=r2+M2s2 只要找到一个重位点的坐标，又知道重位点阵单胞对原点阵单胞的边长比，就可以求得Σ值，Σ取奇数。 如果计算得到Σ值是偶数，则连续除以2，直到得到奇数。例如Σ=56，应为Σ=7。 全位移点阵 构成重位点阵的两个原始点阵的阵点间存在平移矢量差，以三个非共面的最短平移矢量差为平移周期矢量可以组成一个覆盖转动后全部新旧阵点的点阵，称为全位移点阵(Displacement Shift Completely, DSC)。 DSC点阵的优点是可以揭示境界结构的细节。 电子衍射的特点 电子束平行于界面时，得到一个单晶的两个不同取向的电子衍射 扭转境界的电子特点 电子束方向平行于晶粒的共同方向时得到两个相同单晶的电子衍射图，但相互之间有一个转动，与倾转晶界的情况相似。 扭转晶界的晶体学特点 有一列共有的点阵方向，可以形成各种取向畴，或者旋转孪晶。 扭转晶界的例子 NaV2O5晶体中的扭转晶界 NaV2O5的点阵参数， Background This oxide is of significant importance because of its fundamental quantum nature,