10.2存储器外部电路.pptVIP

下载本文档

2
0
约小于1千字
约 19页
2015-08-22 发布于广东
举报
版权申诉

10.2存储器外部电路.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

存储器外围电路 TEE8502的总体结构外围电路内层外围电路：功能电路，它是直接控制存储矩阵工作的功能块。外层外围电路：工作模式控制电路，它把把外部信号转换成若干内部控制信号，对内层外围电路进行控制。 1.内层外围电路地址缓冲器地址译码器位写入电路灵敏读放电路存储管控制栅电平VCG产生电路存储管源电平VS产生电路（1）地址缓冲器地址缓冲器的功能把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具有驱动大量地址译码器的能力。执行工作模式控制（2）地址译码器行译码器列译码器（3）位写入电路引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是双向信息通路。读出工作时，位读出电路工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。（4）灵敏读放电路灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅，另一方面要具有较大的放大系数，在较小负载电容的输出点上得到合适的电平和足够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。灵敏放大器是影响读出速度的关键。（5）存储管控制栅电平VCG产生电路根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V，读操作时VCG应接近3V左右。（6）存储管源电平VS产生电路在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT信号控制的推挽电路。 2.外层外围电路控制信号缓冲器电平鉴别电路片擦信号发生器字节擦写信号发生器写禁止/写信号发生器擦除信号发生器字节操作信号发生器读信号发生器擦写信号发生器 * * 半导体集成电路 * *