Ba（Mg1／3Ta2／3（1＋x）O3陶瓷烧结性,微观结构及微波介电性能.pdfVIP

维普资讯 第 l3卷 第 6 无 机 材 料 学 报 V l l3．N0．6 1998年 l2月 JoUrnalofInorganicMaterials Dec，1998 Ba(Mgu3Ta2／3(1删)o3陶瓷烧结性、微观结构 殷之文 被 7、7 咖∞。 I『 摘 要 本文就 BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波介电性能的影响进 行了研究．发现：(1 位Ta过量可促进BMT的烧结，而Ta缺量贝!阻『碍其烧结． (2)B位 离子有序度不仅同缺陷的数量有关，而且还同其缺陷类型有关．B位Ta缺陷的存在阻碍其有 序度的提高． (3)BMT样品的口f值随Ta过量的增加而降低．相对介