CdS薄膜的SILAR法制备与表征.pdfVIP

维普资讯 第 19卷 第 3期 无 机 材 料 学 报 Vo1．19，No．3 2004年 5月 JournalofInorganicMaterials May，2004 文章编号：1000—324X(2004)03—0691—05 CdS薄膜的SILAR法制备与表征 刘晓新，靳正国，步绍静，赵 娟，程志捷 (天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室，天津300072) 摘 要：采用液相薄膜制备工艺一SILAR(连续离子层吸附反应)法，在室温下于玻璃衬底上制 备了CdS薄膜．对薄膜的表面形貌，薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相及其 电阻率的 关系进行了观察和分析．实验结果表明：薄膜表面较致密，生长速率为 2nm／cycle，随循环次 数的增加，沉积粒子的尺寸趋于增大．室温下沉积的CdS薄膜为非晶态，经热处理后薄膜的结 晶度提高，电阻率显著下降．此外，文章结合实验对薄膜的生长机理进行了初步的讨论． 关 键 词：CdS薄膜；SILAR法；制备与表征；生长机理 中图分类号：TN304 文献