CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 23卷 第 1期 无 机 材 料 学报 VOl1．23．No．1 2008年 1月 JournalofInorganicM aterials Jan．，2008 文章编号：1000—324X(2008)01—0195—04 CdZnTe晶体生长中掺 In量对晶体电学性能的影响 袁 铮，桑文斌，钱永彪，刘洪涛，闵嘉华，滕建勇 (上海大学 材料科学与工程学院，上海 200072) 摘 要：通过在富Te环境下生长 In掺杂 CdZnTe晶体，实验研究了不同掺 In量对晶体 电学性能的影响，重点 讨论了不同掺 In量与晶体 电阻率、载流子浓度及迁移率之 间的关系．并对 CdZnTe晶体 中In掺杂的补偿机理 进行了分析探讨．结果表明，当 In掺杂量为 5×10am_。时，得到了电阻率达 1．89~10