C—H—O和C—H—N体系生长金刚石膜的气相化学模拟.pdfVIP

维普资讯 第 19卷 第 2期 无 机 材 料 学 报 VO1．19．NO．2 2004年 3月 JournalofInorganicMaterials Mar．，2004 文章编号：1000—324X(2004)02—0404—07 C—H—O和 C—H—N体系生长金刚石膜的气相化学模拟 戚学贵 ，陈则韶 ，王冠 中2廖 源 2 (1．中国科学技术大学工程科学学院，合肥 230027；2．中国科学技术大学物理系 合肥 230026) 摘 要 ：数值模拟了C—H一0和 C—H—N体系的气相化学，构建了含氧和含氮气源化学气相沉 积金刚石膜的三元相图，探讨了加氧和加氮影响金刚石膜生长的途径．结果表明，甲基是金刚 石生长主要的前驱基团，乙炔导致非金刚石碳沉积，原子氢刻蚀非金冈lJ石碳．通过气相反应改 变这些基团的浓度是加氧的一个重要作用途径，而加氮在改变这些基团浓度的同时，CN等含 氮基团还强烈地参与了金刚石膜成核和生长的表面过程．