NiAl2O4材料的X射线光电子能谱分析.pdfVIP

维普资讯 第 8卷 第4期 无 机 材 料 学 报 、r01 8．No 4 1993年 12月 JournM ofInorganicMaterials Dec．1993 舒一 ， NiAI。O材料的X射线光电子能谱分析 刘树英 张毓武 杨 文 (中国群学院新疆物理研夏两■乌鲁未齐市830011) 摘 要 多晶半导体陶瓷材料 NiAI204是一种很有应用价值的高温热敏材料 本文介绍丁这种材料的合戚方法．并用 XRD技术分析该材料在不同舍成温度下的相态及晶体结构 结果表明：合成物主晶相为尖晶石型Nil A1204，汰晶 相为NiO，且随舍成温度的提高，NiO含量大幅度减少 车文根据XPS分析结果，重点讨论了样品中各元素在不同 合成温度下的结合能位移 分析表明：Nil一