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维普资讯 第20卷 第4期 无 机 材 料 学 报 Vo1．20．NO．4 2005年 7月 JournalofInorganicMaterials Ju1．，2005 文章编号：1000—324X(2005)04—0955—04 NO和N2o流量对ZnO薄膜P型导电性能的影响 周 婷，叶志镇，赵炳辉，徐伟中，朱丽萍 (浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027) 摘 要：采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法，由NO和N20混合气体在玻璃衬底上 沉积了P型ZnO薄膜．NO和N20流量分别为40和25sccm时，得到最低电阻率5．52Qc·m， 同时样品的空穴浓度最高，为2．ITx10cm_。，电性能的稳定性也最好．全部样品放置四个月 后仍为P型，但电阻率增大． 关 键 词：P型Zn0；导电性能；M0CVD 中图分类号：0472；O485 文献标识码：A 1引言 Zn