MOSFET-04_直流特性.ppt

基本假定 衬底均匀掺杂 氧化层中面电荷密度Q0为常数 忽略源、漏区体电阻 忽略源、漏PN结和场感应结的反向漏电流 长、宽沟MOSFET：WLToxXc 反型层载流子迁移率为常数，其值取位于栅和漏平均电场处的表面迁移率，尽管 与Ex、Ey都有关。 缓变沟道近似* 数学表示式： Poission 方程变成一维： 忽略空穴电流*，只考虑电子电流Jn，平且假定电流只沿Y方向流动* 强反型近似成立Strong Inversion Approximation 假定沟道强反型后，沟道电流是由漂移而非扩散产生的 不考虑复合与产生。稳态时，Jn的散度为0。即沟道区的任何一点上，总的漏电流IDS是一样的 夹断的条件： Qi(Y=L)=0 漏电流达到最大 夹断时的源漏电压：VDS=VDsat=VGS-VTn 夹断后，VDS再增加： 增加的部分全部降落在夹断区 夹断点向源端方向移动，夹断区展宽 夹断区是耗尽区 若L ?L，漏电流维持在IDsat 夹断条件 QI(Y=L)=0和电流最大值的导数为0，二者是等价的。 把根号展成泰勒级数，保留一次项。 由于电流流过沟道的截面积是沟道的宽度W与沟道深度的乘积，将上面的方程沿沟道深度X方向和沟道宽度Z方向积分，可得到沟道中任一点Y处的漏电流IDS。 假定Ey在0xxc内为常数。 沟道的形成是一个渐变过程，不是突变。从弱反型到强反型并没用一个明显的界限。 亚阈值电流会影响电路的动态性能并决定了CMOS电路的功耗，因此它十分重要。 原因：在亚阈值区，漏极电压几乎全部降落在反向偏置的漏衬PN结耗尽区上，因而漂移电流可以忽略。另一方面，反型层载流子浓度沿沟道方向的梯度相当大，因此亚阈值电流主要成分是扩散电流。 严格讲，S是随电流的大小而变化的，但是在一个量级的电流变化范围内这种变化很小，可以将S认为是电流每变化一个数量级时的电压摆幅。 在MOS数字电路设计中，对ON/OFF电流之比的要求限制了可用阈值电压的范围。较低的阈值电压可以降低对电源电压的要求。为了达到某些电路性能的要求，可以用更精细的工艺制造出两种不同的阈值的器件。这样大部分器件的VT较高，限制了关态电流，从而降低了静态功耗。但是也有一小部分管子在开启状态下能提供较大的电流以保证高速工作，这些器件的VT设计的比价低。为了获得高性能，必需付出的代价时较高的关态电流。为了减小这些晶体管的泄漏电流，可以在这些管子不工作时，加上衬底偏压来提高他们的VT. §3、 MOSFET的直流特性 本节内容 推导长沟道MOSFET的电流－电压之间的数学关系，包括： 线性区的I-V关系 饱和区的I-V关系 亚阈值区的I-V关系 沟道长度调制效应 基本方程 半导体器件的特性一般由下面三组方程决定 器件结构 以NMOS为例，结构和尺寸如图所示 基本假定（1） 基本假定（2） 根据上述假设，沟道中任意一点的电流密度： Ey：沟道y方向y点的电场。Vy：y点相对于源端的电位 电流－电压方程（1） （强反型近似） 电流－电压方程 一级近似模型： MOSFET线性区 假设12 假定沿沟道长度方向的体电荷密度Qb是固定的，即与漏电压VDS无关： 这一电流方程最先由C.T.Sah在1964年得到，称为萨之唐方程，也是SPICE中的LEVEL 1级模型。 一级近似模型： MOSFET线性区 工艺跨导参数： 阈值电压： 单位：A/V2 沟道宽长比： 当VDS较小*： 沟道电阻： non-physical At Peak current, When VY=VGS-VTn,Qi(Y)=0 而Vy的最大值在漏端 当 VDS=Vdsat=VGS-VTn时，漏端沟道消失（被夹断）。漏端沟道开始夹断时的漏源电压称为饱和电压，用Vdsat表示，对应的电流称为饱和电流，用IDsat表示。 一级近似模型： MOSFET饱和区 夹断点的漏电流 saturated 夹断后，VDS再增加，增加的部分全部降落再夹断区，导致夹断点向源区移动。对于长沟道，L’?L，可以认为沟道长度基本不变，电流也不再变化，夹断后漏电流由Idsat外推得到。 一级近似模型： MOSFET饱和区 一级近似模型： MOSFET饱和区 二者等价 沟道真的被夹断了？ 沟道长度调制效应（CLM） Channel-Length-Modulation 当VDSVDsat,漏耗尽区展宽，夹断点向源端移动，夹断点P和n+漏区之间的夹断区 ?L 使得有效沟道长度L减小为L’ 。 ?L与（VDS-VDSAT）有关，它将调制有效沟道长度，这种现象称为沟道长度调制。 对于短沟道器件，沟道长度调制使得MOST 工作在饱和区时，漏电流IDS随VDS增加而缓慢增加。 精确描述CLM，需要二维求解。 SPICE中用沟道长度调制系数λ表示饱和区VDS对IDS的影响程度