BaTiO3薄膜的MOCVD方法制备及进展.pdfVIP

维普资讯 硅酸盐通报 1998年第 2期 BaTiO3薄膜的MOCVD方法制备及进展 孙一军壅量童_， 熹 丁 f3、 ． ， — ． - — - 一 、—— ‘‘ —～ r 一 (西安交通大学精细功能电子材料与器件国家专业实验室 710049) 摘 要：本文概述丁用金属有机物化学气相沉积 (MGCVD)方法制备 BaTIC~薄膜的原理和特点，着重舟绍骶 MC~-WD、等离子体增强 MGCVD和光辅助 MGCVD三种拄术在BaTiO3薄膜{6I备中的应用，井指出丁蛀新研究进 粕 难 BaTiO 3 关 撇， 星锑锑陶自差乏锨辙塄娠 学() 1．引 言 2．BaTiCh薄膜的M()Cv|D方法制备 BaTiO3是典型的电子材料 ，也是发现最早 M(3CVD方法制备 I iO 薄膜 ，是将 l 的钙钛矿型铁电体，具有优 良的铁 电、介 电、压 和 Ti的金属有机物气化后 ，利用载气 (N 或 电、热释电和光电特性，可用来做非易失性铁电 Ar等)通人反应室和氧气发生化学反应．反应 存储 器 (FRAM)、动 态 随机 读 写存 储 器 的生成物沉积到衬底 上从而形成 Bal、i( 薄 (~3RAM)、表面波器件 (SAW)、红外探测器、光 膜。MOCVD方法具有如下特点”“。：薄膜的组 开关、光调制器和二次谐波发生器 ( IG)等。 成元素均以气体形式进人反应室 ．通过控制载 随着薄膜制备技术的进步，人们对Ba 薄膜 气流量和切换开关可 以容易地控制薄膜组成 ； 的研究取得 了很大的进展 ，几乎所有的用于制 ②沉积速率高，均匀性好，重复性好；③适于大 备薄膜的方法都被用于制备BaTiO3薄膜，有脉 面积成膜和批量生产；④ 由于以金属有机物为 冲激光沉积…、溅射 2、热液合成L33_、金属有机 源，使沉积温度降低；⑤所有工艺参数都可独立 物热分解_4(M。D)、分子束外延 (MBE)、反 控制。 应蒸发l66_、溶胶一凝胶 ’【J(SOL—GEL)和金属 目前，用于制备 l i0 薄膜的M(x’VI] 有机物化学气相沉积 (MOCVD)等。其中， 方法主要有三种：低压M(X：Ⅵ)、等离子体增强 MOCVD方法以其沉积速率高、易于批量生产 MOCVD和光辅助 Mo ，D。 和组 成容 易控 制等特 点受到人们的重视， 2．1低压 M0CvD MOCVD方法 已成为制备BaTiO3薄膜的重要 低压M0 ，D，简称 LPM(XⅥ)，是在产量 方法之一 J。本文概述 了用金属有机物化学 和膜厚分布等方面考虑后，从常压M(x D改 气相沉积 (MOCVD)方法制备 BaTiQ 薄膜的 进而来的。低压MC~-ND具有如下特点 ”’。： 原理和特点，着重介绍低压M00，D、等离子体 ①由于气体的压强与扩散系数成反 比，因此，低 增强 MOCVD和光辅助 MOCVD三种技术在 压强的工作环境有助于加速反应气体向利底表 gaTiO3薄膜制备中的应用，并指出最新研究进 面扩散 ，不但可以减少对流 ，而且可以减步气体 展 ：存在的困难和今后的发展趋势。 边界层的影响，从而提高 了薄膜厚度的均匀性； ②由于反应室压力较低，使薄膜的生长速率 ·博士基金资助项 目 — — 34 —— 维普资讯 硅酸盐通报 1998年第 2期 烈依赖于沉积温度，并受表面反应所控制 ，这对 2．3光辅助MOCVD 正确控制薄膜的厚度十分