TSV技术的发展.docVIP

ＴＳＶ技术的发展、挑战和展望，3D IC技术的一体化、3D硅技术的一体化 摘要：3D集成技术包括3D IC集成，3D IC封装和3D 硅集成技术。这三者是不同的技术，并且硅通孔技术将3D IC封装技术与3D IC集成技术、3D IC硅 集成技术区分开来，因为后二者使用了该技术而3D IC封装没有。硅通孔技术（TSV）是3D IC集成技术、3D 硅集成技术的核心。也是研究的热点。3D集成技术起源于当代，当然，3D IC/硅集成技术的革新、挑战与展望已是讨论的热点，还有它的蓝图。最后，通用的、更低能耗的、加强热控制的3D IC集成封装系统相继被提出。 关键词：硅通孔技术，3D IC集成技术，3D 硅集成技术，活泼的、消极的互边导电物，C2W和W2W。 说明： 电子产业自从1996年以来已成为世界上最大的产业。截止2011年底已经创造了一万五千亿美元的价值 。其中电子工业最大的发明便是电子管（1947年），这也使得John Bardeen,Walter Brattain 和William赢得了1956年的诺贝尔物理学奖。1958年Jack Kilby发明了集成电路（也使他获得了诺贝尔奖），六个月后Robert Noyce(他因在1990年去世而未能与Jack kilby分享诺贝尔奖)首创IC集成技术。由戈登·摩尔在1965年提出的每二年便要在电路板上将晶体管的数量翻一倍的理论（也叫摩尔定律，为了更低的能耗），在过去的46年中已成为发展微电子产业最有力的指导。这条定律强调可以通过单片集成系统（SOC）将平面技术和所有功能的集成（在2D层面）放到单片芯片中。另一方面，这里所有功能的集成能通过3D集成技术例如3D IC封装,3D IC 集成［1］，［2］，［4］-［143］，［168］-［201］和3D 硅集成［1］，［2］，［144］－［167］，［168］－［201］得到实现，这些都会在1、2小节中提及。因为3D IC封装技术是一门成熟的工艺，并且不使用硅通孔技术，故本文不再提及。 硅通孔技术是3D 硅集成技术的核心［200］。尽管William Shockloy(他也是电子管的发明者)的这项已经超过50年的发明赢得了1956年的诺贝尔物理学奖，但是这项技术的最大目的并不是为了3D 硅/IC集成技术。 由惠普公司在1976年创造的在一块电路板上的高价值产品（MMIC）））’s cu-to-cu组合。 3D 硅集成技术中至少有二种不同的W2W键合方法，也就是说，Cu-to-Cu键合和氧化物之间的键合，正如第七节和第八节所说的，更确切地说，第七节展示的是由IBM和RPI首创的高质量键合技术［146-148］在键合之前，要用标准波形花纹生产工序来制造铜互连，接下来用氧化物CMP工序来把氧化物研磨到比铜的表面低40nm,键合的温度还要求为400摄氏度。第七节（b）图展示了铜和铜组合的过程，由东京的NIMS/AIST/Toshia/University提供。 第八节图a展示了MIT的3层3D在275摄氏度高温下氧化物和氧化物组合体键合的剖面图。从图中可以看出：1、中介层被W-plugs键合且相互2、传统的填埋水平面连线在两层电路的底部3、而3D通道布置在晶体管之间孤立的区域。第八节（b）图展示了Leti/Freescale/STMicroelectronics的电介质组合层，在400摄氏度下的拥有两层电路板。从图中可以看出：（a））））））;b既没有闪存芯片堆叠，也没有在电路中使用TSV技术，互边导电物为ASIC或微处理器；c没有闪存芯片堆叠的高速读取电路，未使用TSV技术的热能/机械集成电路（就像Xilinx/TSMC的FPGA高速读取电路）））