钛酸锶钡薄膜在金属铜箔上的制备及其性能的研究.pdf

钛酸锶钡薄膜在金属铜箔上的制备及其一l生能研究 摘要 随着微电子与光电子技术要求各种器件小型化、功能化、集成化，铁电BST 薄膜作为电子封装系统中的埋容电容器介质材料成为～个闪亮点。传统的薄膜材 料的制备，都是以贵金属或导电氧化物为基体。随着电子行业的快速发展，对薄 膜电容器的需求的增大，造成国际上贵金属等的短缺，同时也拉动了电容器成本 的大幅度增加，在这种形势下，金属铜由于其优异的导电性，低的成本，成为薄 膜基体的最优选择。但是由于BST薄膜的结晶需要800,900。C高温的有氧环境， 而金属铜高温容易氧化等问题使得在金属铜基体上制备BST薄膜成为一个挑战。 et 2006年Lauglllinal的报道，也仅限于通过磁控溅射的方法制备BST薄膜。至今 还未见到更多的报道。本文旨在通过成本最低的溶胶．凝胶法在金属铜基体上制 备高介电常数的BST薄膜。 试验选用醋酸钡、醋酸锶、钛酸丁酯为主要的前驱化合物，采用溶胶一凝胶 技术在金属铜箔上制备钛酸锶钡(BST)薄膜。薄膜的退火处理在流动的氩气保 护下完成。通过添加有机物聚乙二醇(PEG200)成功地解决了薄膜的裂纹、剥 皮等问题；并通过缓冲层、掺杂等进一步改善薄膜的电学性能。 PEG添加量的BST溶胶所制备薄膜进行XRD，电学性能测试，分析表明：PEG wt％和50 添加量为40 wt％的BST溶胶制备的BST薄膜的介电常数相对较高， 电流密度也相对较小。PEG添加量为40wt％的BST溶胶制备的薄膜在116．7 叭％左右。 缓冲层有利于BST薄膜的结晶。通过介电性测试：La203缓冲层没有明显地改 其居里温度点发生移动，从铁电滞回线可以得到证实。XPS深度剖析验证La203 缓冲层抑制了金属铜离子在BST薄膜中的扩散。通过Ti2p峰的分析认为BST 薄膜中存在Ti3+离子。Ti3+的存在间接地反映了薄膜中存在着大量的氧空位。 通过比较两种薄膜的Ti2p峰中Ti”峰的强度，说明了La203缓冲层有利于降低 薄膜中的氧空位浓度，从而有效地降低了薄膜的漏电流密度。 为替代性掺杂进入钙钛矿结构的A位。并且Mn掺杂有利于钛酸锶钡薄膜的 的Mn离子时，薄膜具有较高的介电常数和较低的介电损耗，如在1MHz时， 分别为1213和0．06。通过P．E铁电滞回线的测试表明，Mn离子掺杂使室温 为铁电相的Bao．7Sro．3Ti03薄膜的居里温度降低，在室温下表现为顺电相；使室 温为顺电性的Bao．5Sro．5Ti03显示铁电性的特征。漏电流测试显示，Mn离子掺 杂大大降低了薄膜的漏电流密度，从没有Mn掺杂时的2．5x104uA／cm2降低到 100uA／cmz(Bao．675Sro．3Mno．025Ti03)。 利于降低薄膜中的氧空位。这与掺杂x0．025Mn时的钛酸锶钡薄膜的漏电流 密度大幅度降低比较一致。通过分析最佳的Mn掺杂量为x=0．025。 (5)Zr离子掺杂进入Bsr结构的B位。XRD表明随Zr掺杂量的增加， 采用FESEM表明Zr掺杂降低了薄膜的晶粒尺寸。HRTEM显示了薄膜的多晶 结构，900电畴和1800电畴均匀地分布在薄膜中。 (6)介电分析表明，Zr掺杂大大降低了薄膜在电场下的介电损耗。如高电场333 kV／cm时，在10 高。另外Zr4+的引入会抑制Ti4+与Ti3+之间的跃迁，抑制电子的定向运动，从 而减小了薄膜的漏电流密度。通过分析最佳的Zr掺杂量为x=O．1。 关键词：BST薄膜，溶胶凝胶，电学性能，缓冲层，掺杂 and ofBariumStrontiumTitanateThin SynthesisProperties FilmsOil Foils Copper Abstract Withthe oftheminiaturizationandmuti—functionofelectronic development strontium isa materialfor