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HIC工艺流程 基片加工→金属化→光刻与制版→退火与划片→组装与烧结→键合→调试与镜检→封帽→老化筛选→激光打印（或网印） →需改进的几个方面 基片加工 1.材料选择 高频损耗 介电常数 表面光洁度 基片平整度 翘度 2.基片种类 Al2O3陶瓷基片 微晶玻璃基片 BeO AlN SiC、人造金刚石 3.基片加工 打孔方法：激光打孔、超声波打孔 划片方法：砂轮、激光、金刚刀 4.清洗 去油去蜡：甲苯或超声波；丙酮；乙醇。 去除金属离子：10%HCL；10%NaOH。 大量冲水、乙醇脱水、烘干 金属化 金属膜制作 溅射 电镀：光刻后形成的电镀窗口进行局部的选择性。 目前常用亚硫酸盐镀金液。 光刻和制版 目前的金属化层光刻用3层版： 第一块：负版；第二、三块：正版。 （正胶） 退火与划片 基片退火： 使基片上淀积的金属薄膜充分老化、稳定电阻值，使之在以后的加热时不致变化。 镀层金属与底层金属附着力及底层金属与基片附着力得到改善。 划片： 陶瓷---激光 微晶玻璃---金刚石 组装 点胶 胶厚≤25um 胶多，增大串联电阻和热阻值，影响强度。 一般点成X型和米字形，有利于基片下胶的均匀或不挤出过多，重要的是不留气泡。 管芯烧结 键合 把管芯元件，电路和管壳互连，并调节电阻、电感和电容。 机理：在劈刀压力、超声波能量和热量共同作用下，使被焊金属表面间的距离减小到分子间距离的量级。 调试与镜检：性能调试、内部镜检 封帽：让管壳座和管帽的封环间隙产生焦耳热使之局部快速溶化封合而成。 老化筛选：高温存储和加电老化等。 激光打标：利用激光脉冲的强大功率局部熔化管壳表面的金属，在电脑驱动光束移动而形成的字符。 * *