FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线.pdfVIP

电子学报000205 电子学报 ACTA ELECTRONICA SINCA 2000 Vol.28 No.2 P.14-16 FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线 袁正宇　李征帆　邹瑉珋 摘　要：本文首次利用时域有限差分(FDTD)法分析了高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连 传输线的电特性.文中提出了有耗吸收边界条件，推导了不同媒质交界面上的边界条件通用格式.在 FDTD分析的基础上，得到传输线各种参数的频变特性，为芯片内电路模拟提供了可靠的参数. 关键词：高速集成电路；时域有限差分(FDTD)法；有耗吸收边界条件 分类号：TN405.97　文献标识码：A 文章编号：　0372-2112 (2000) 02-0014-03 Analysis of On-chip Interconnection Lines in High-speed IC by the FDTD Method YUAN Zheng-yu,LI Zheng-fan,ZOU Min-liu reliable parameters for the circuit simulation of IC. boundary condition▲ 1　引言 　　半导体集成电路技术的不断发展使得电路规模越来越大，时钟频率越来越高，同时电路密度也 ［1，2］ 不断提高，芯片内互连线的互连效应变得越来越明显 ，已经成为集成电路向更大规模，更高 速度发展的制约因素.金属绝缘半导体传输线是集成电路中最基本的一类互连线，位于整个集成电路 )所隔离，信号线和接地线位于同一介 的底层，其基本结构为半导体(Si)基片上的金属被绝缘层(SiO 2 质层，但又与一般的共面波导不同的是接地线宽度可以与信号线宽度相比拟，而且接地线穿过绝缘 层与半导体基片相连接(如图1所示).现有文献对这种互连线传输特性的理论分析主要有模式匹配法 ［3］ ［4，6］ ［5］ ［6］ 、谱域法 和有限元法 以及准TEM模解析分析 .随着芯片测试技术的发展，近年来 ［1，7］ 很多文献给出了这种互连线传输特性的测量结果 .理论分析和实际测试结果均表明，由于半导 体基片具有非零导电率，该互连线有三种基本的传输模式，分别为慢波模、趋肤效应模和介质准 TEM模，对应于不同的频率段.这三种模式的存在使得其等效电路参数为频变参数.值得指出的是，上 述理论分析方法都属于频域方法，每次计算只能得到单个频点的参数，要得到电路参数的宽频带特 性，效率较低.而且由于方法本身的局限性其分析模型都对实际结构作了一定程度的近似，如忽略信 号线和接地线的厚度及损耗等，因此计算结果不够精确. 　　本文首次应用FDTD法精确分析高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连传输线，首先给出 不同媒质交界面上的边界条件通用格式，随后提出并推导有耗吸收边界条件的单向波方程和近似差 分计算格式.经过FDTD计算过程得到计算区域内的时域场分布，再通过快速付里叶变换(FFT)获得频 变传输常数和特性阻抗，由此可进一步得到频变等效电路参数，结果与现有文献比较，一致性较 file:///E|/qk/dianzixb/dian2000/0002/000205.htm（第 1／6 页）2010-3-22 16:56:57 电子学报000205 好，且精度更高，说明FDTD法是精确分析芯片内互连线的有效方法. 2　理论分析 　　时域有限差分法的基本原理是把所求解的空间剖分成一定数量的网格，在每个网格上对如下麦 克斯韦方程进行在空间和时间上的离散化处理. •