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PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜内应力的研究.pdf
第30卷第4期 真空科学与技术学报
CHlNKSE VACUUMs(：IENCEANDTECHNOLOGY
2010年7、8月 JOI『RNAI．0F 341
PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜内应力的研究
周 顺1，2。 刘卫国1，2 刘 欢2 蔡长龙2
(1．西安电子科技大学微电子学院西安710071；
2．西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室西安710031)
in 1hillFilms
InternalStress Silicon
HydrogenatedAmorphous Deposited
PlasmaEnhancedChemical
by VaporDeposition
Zhou
Shunl，孙，Liu Huan2，Cai
Weigu01,2,LiuChanglon92
(1．hool ThinF／／m
ofMicroelectronics，XutianUniversity，Xi’an,710071，Ch／na；2．Shaanx／Prov／neeTechno／ogy
and 710032，Ch／na)
opt／删TestOpen研hlhoratory，Xi’anrea,,,otogicatUnivers丑y，施’o,n
AbstractrIhe filmswere enhancedchemicalVII-
silicon(0／-Si：H)thin
hydrogenatedamorphous depositedbyplasma
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deposition pressure，RF
substrate theintemal theintrinsicandthermal evaluatedwitIlFouriertmn8一
tenlperature，Onstre{黼(including stir)were
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