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石油、天然气工业
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第29卷第2期 江西理工大学学报 v。1.29,N。.2
2008年 4月 JOURNALOFJIANGXIUNIVERSITYOFSCIENCEANDTECHNOLOGY Apr.2008
文章编号 :1007—1229(2008)02—0005—04
论半导体器件参数的分散性
康裕荣 ,康向东
(江西理工大学,机电工程学院;b.建筑与测绘工程学院,江西 赣州 341000)
摘 要:从半导体的基础知识、半导体的能带结构、杂质半导体中载流子的运动速度、半导体器件
的特点、PN结等方面论述 了为什么半导体器件的参数具有分散性.
关键词:载流子; 能带; 分散性
中图分类号-TN303 文献标识码 :A
TheDispersionofSemiconductorApparatus’Parameter
KANG Yu-rong~,KANG Xiang-dongb
(JiangxiUniversityofScienceandTechnology,FacultyofMechanica1.nadElectronicEngineering,
b.FacultyofArchitceturalandMappingEngineering,Ganzhou341000,China)
Abstract:Thequestionwhythesemiconductorapparatuspraameterownshtechraacterofdispersionisdiscussedfrom
suchaspectsasthebasicknowledgeofsemiconductor,hteenergybandstructureofsemiconductor,htemovement
speedofcarrierinimpuritysemiconductor,htecharacterofsemiconductorappraatusnadPNjunctioninhtearticle.
Keywords:Carrier;eneryg bnad;dispersion
0 引 言
由于制造工艺所限,半导体器件参数具有分散性,同一型号的管子,由同一台设备生产出来的管子,现
在生产出来的和等一会生产出来的管子,其参数值会有相当大的差距,因而手册上往往给出的是参数的上
限值、下限值或范围.此外 ,使用时应特别注意手册上每个参数的测试条件 ,当使用条件与测试条件不同
时,参数也会发生变化 l【】.半导体器件参数为什么存在分散性?我们在使用半导体器件时,应注意些什么呢?
1 为什么半导体器件参数存在分散性
1.1 半导体器件的基础知识
半导体具有晶体结构,也叫晶体.它是四价元素,它的导电能力介于导体和绝缘体之间,具有一系列特
殊的性能:
(1)半导体的导电率可以随加入的杂质作明显的改变;
(2)温度可以明显地改变半导体的导电率,还可 以产生电动势,这就是半导体的光 电效应 ;
(3)光照不仅可以改变半导体的导电率,还可以产生电动势,这就是半导体的光电效应翻.
半导体硅有 l4个电子,电子配置表示为:1$22S22p63$23p2,即第一层 s分层2个电子,第二层s分层2
个电子,第二层P分层6个电子,第三层 s分层 2个电子,第三层P分层2个电子[31.
收稿 日期:2Oo7_o3_o2
作者简介:康裕荣(1962一 ),男,副教授
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6 江西理工大学学报 2008年 4月
半导体锗有 32个 电子,其电子配置为:1S2S22PS3S3P3d~4S24p2.
从上可以看到,硅和锗有一个共同点:最外层的P分层可以有6个电子,但只容纳了2个电子,还剩下
4个空位.
不同层的电子有不同的能量,称为能级.
晶体中电子的共有化运动,使电子的能量状态发生了变化.在原子间距 d很大时,
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