衬底温度对a-Si1-xCx：H薄膜成分的影响.pdfVIP

鲁东大学学报(自然科学版) LudongUniversityJournal(NaturalScienceEdition) 衬底温度对 a—Si一C ：H薄膜成分的影响 田 帅 ，简红彬 (1．天津电子信息职业技术学院，天津 300350；2，天津三美电机有限公司，天津 300163) 摘要：采用热壁低压化学气相沉积(LPCVD)技术 ，在Si(100)衬底上成功制备出了具有化学计量的氢化非晶 碳化硅 (a。Si C：H)薄膜 ，并用傅里叶变换红外光谱仪和 x射线光电子能谱仪对薄膜成分进行了分析，探讨 了衬底温度对 a—Si Cx：H薄膜成分的影响，结果发现随着衬底温度升高，cH 分解效率得到提高 ，过量的C 形成 了C—C键 ． 关键词：热壁LPCVD；a--Si C：H薄膜；衬底温度；薄膜成分 中图分类号：0484 文献标志码：A 文章编号：1673-8020(2011)03-0229-03 非晶SiC(a—SiC)薄膜中含有相当数量的H， 800 ，850 和 900 )下，在单晶si(100)衬底表 故称之为氢化 a—SiC(aSiC：H)薄膜．aSiC：H薄 面上制备了a．si C：H薄膜样品． 膜有较宽的光学带隙，并具有光致发光 (PL)和电 2)采用美 国BIORAD公司生产的BIORAD一 致发光 (EL)热淬灭特性而倍受人们关注 1J，a． 60V型傅里叶变换红外光谱仪 (波数范 围为 SiC：H薄膜还是一种带隙可调节、机械强度和化 4004000om一，分辨率为 4CITI )和英 国VG 学稳定性好的新型功能材料，在太阳能光电池、薄 公司生产的MK1I型x射线光电子能谱仪对样品 膜晶体管、发光二极管 、紫外图像传感器、高分辨 成分进行分析． 率x射线探测器以及防腐抗氧化涂层等方面应 用广泛．SiC薄膜有多种制备方法，如物理气相沉 2 实验结果与讨论 积(PVD)、化学气相沉积 (CVD)、液相外延生长 (LPE)、分子束外延 (MBE)等 J．其中CVD法较 由图1可以看 出，位于 640cm 的吸收峰是 为常用，其特点是生长温度低、生产批量大、薄膜 Si—H，摇摆模 J．70O一815cm 处吸收峰为 SIC 均匀性好以及易于控制等．本文采用低压化学气 的特征峰，但此峰较宽，在810cm 处出现微弱的 相沉积法(LPCVD)在单晶si(100)衬底表面上沉 品态小吸收峰．这说明样品主要是非晶态结构 ，同 积了a．Si C：H薄膜，利用傅里叶变换红外光谱 时含有少量的晶态 SiC_4J．薄膜中产生了少量晶 (FTIR)和x射线光电子能谱 (XPS)测试方法对 态成分，其原因可能是薄膜生长结束时，有一段样 其成分进行了分析． 1 实验 1)本实验采用CH和SiH分别作为提供 c 和 si的源气体，选用氩气 (Ar)作为载气，利用热 壁 LPCVD 方 法 ，通 过 固定 反 应 压 强 (P = 800Pa)、沉积时间 (t=60min)和气体流量 比 ([CH]／[Sill]=3：1，[CH]=30sccm，[Sill] 波数／cm。 =10sccm)等工艺参数，在不 同衬底温度 (T= 图1 不同衬底温度下所制备样品的FTIR图 收稿 日期 ：20114)3．30；修回日期：2011_04—19 作者简介：田帅 (】981一)，女，河北清河人。助教 硕士，主要从事半导体材料的研究。E-mai|：hellotianshuai@yahoo．con—Clfl。 230 鲁东大学学报 (自然科学版) 第27卷 品待取时间(约 5rain)，这段时间相当于对样 品 峰位如表 1所 示．图 3和 图 4 中 Si峰位在 进行退火，以致于使样品中产生了少量晶态SiC． 100．