反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响.pdfVIP

# 18 7 2007 7 J ourna l of Op toelectr onics # Laser Vol. 18 No.7 Jul. 2007 # # * 反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响* * * 陈新亮 , 薛俊明, 张德坤, 孙 健, 任慧志, 赵 颖, 耿新华 ( , , , 300071) :(MOCVD) ZnO X (XRD) (SEM) , ,ZnO (002) , ( 110) ; Hall , 200 Pa ZnO / 0, 1.28@ 10- 2 8 # cm