磁控溅射wox电致变色薄膜的结构.pdfVIP

维普资讯 2004年 5月 重 庆 大 学 学报 Mav2004 第27卷第5期 JournalofChongqingUnive~ity V01．27 No．5 文章编号 ：1000—582X(2004)05—0081—04 磁控溅射WOx电致变色薄膜的结构 黄 佳 木，施 萍 萍 (重庆大学科学与工程材料学院，重庆 400030) 摘 要：采用直流反应磁控溅射工艺，以纯钨靶为靶材在 ITO玻璃上制备电致变色WO薄膜，运用 XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜的晶体结构和微观表面形貌进行了分析，探讨 了WO。薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系。实验分析结果发现：磁控溅射得到的 O薄膜主 要是非晶态的，而其在着色状态和退色状态下亦呈非晶特性；电致变色反应使薄膜的颜色发生了可逆变 化，必然地也使结构发生 了可逆变化。IJi的进出，虽然没有使组成WO 的基本结构发生大的变化，但 其微观表面形貌发生较大差异，因为原子团簇的堆积方式向较规则的低能态堆积方式转变。 关键词：WO ；非晶态薄膜；电致变色；直流反应磁控溅射；透光率；八面体 中图分类号：TB34；0484 文献标识码：A 电致变色与光致变色、热致变色和受压变色统称 与以对光波反射调制为主的晶态WO薄膜相 比，以 为光学性能可变换性变色…。电致变色是指材料的 吸收调制为主的非晶态WO薄膜具有更令人满意的电致 光学性能在外加电场作用下 ，发生可逆变化的现象，直 变色效果，所以采用合适的制备工艺是非常重要的。 观地表现为材料的颜色和透明度发生可逆变化的过 采用磁控溅射法 】制备WO薄膜，具有沉积速率 程 】。这种变色的独到之处在于，它可以根据人的意 高、基片温升低、膜层均匀性及附着力好、工艺参数易 愿来任意调节控制，符合未来智能材料的发展趋势，在 控制以及易制成非晶薄膜等优点，较之其他制备工艺 建筑物调光窗、汽车后视镜与挡风玻璃、各种平板显示 是比较理想的工艺方法。 器件等领域 有着非常广阔的应用前景。 笔者拟采用直流反应磁控溅射的方法，在 ITo玻 被研究的电致变色材料有很多，其中WO因具有 璃基片上沉积WO薄膜，进而研究非晶态氧化钨薄膜 着色效率高，可逆性好，响应时间短，寿命长、成本低等 的电致变色性能和微观结构的关系。 ‘ 优点，被认为是最有发展前途的 电致变色材料 之一c引。 1 实 验 作为一种典型的阴极电致变色材料，WO电化学 1．1 薄膜制备 反应式为： 实验采用北京仪器厂制造的JPGF-480磁控溅射 WO +yM +ye— =兰MWO (0≤y≤1) 镀膜机制备WO薄膜。以纯度99．99％的金属钨板作 式中，M 是注人或抽取的小正离子(如H ，Li， 为溅射靶材，纯度为99．95％的Ar气作为工作气体， Na等)，WO是漂 白态，MWO是蓝色的着色态。当 和纯度为99．50％的0：作为反应气体，采用直流反应 WO处于阴极而通电压时，IJi注人到WO中，薄膜 由 磁控溅射的方法，在方阻为 1012／口，可见光透过率大 无色变为蓝色，反向电压后，又重新变回到无色。 于88％的ITO玻璃基片上沉积WO薄膜，靶与基片的 此外，WO 薄膜的禁带宽度为3．04eV，接近绝缘 距离为 10em。 体，电阻率可达到 1OQ ·em。M 的注人相当于半导 对前期所做的实验样品进行分析筛选，对