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OFweek 太阳能光伏网提供 太阳能光伏组件遮挡问题研究太阳能光伏组件遮挡问题研究 太阳能光伏组件遮挡问题研究太阳能光伏组件遮挡问题研究 众所周知，晶体硅太阳电池组件的表面阴影、焊接不良及单体电池功率不匹 配等因素是导致输出功率降低的主要原因，研究这些因素的影响不仅对制造晶体 硅太阳电池组件有指导作用，而且也有利于人们正确判断光伏发电系统输出降低 或失效的原因。 国外曾经有人报道一些在现场用了 10 到 15 年的组件电特性已经恶化。其 I-V 特性曲线已经和一些普通的光伏组件差别很大，而这种变化的 I-V 曲线可以 用来分析晶体硅太阳电池组件输出降低的原因。本文主要讨论了遮挡部分电池组 件输出特性的影响，并用计算机对核过程进行了模拟。 一、模拟方法 在晶体硅太阳电池组件中，当有电池被遮挡时，组件的输出特性可以用下式 表示： 这些参数估算时可以用一下参数代替：n=1.96，I0=3.86X10-5 （A）,Rsh=15.29（Ω）。a=2.0x10-3，Vbr=-21.29（V），nn=3.R3=0.008. 组件中有电池被遮盖时的电路可以用图片三来表示，正常的电池和被遮盖 住的电池在组建中是串联关系，因此电压V 和电流 I 满足以下等式： OFweek 太阳能光伏网提供 组件中电池被遮挡时的模拟电路 其中，Iph1 代表组件中普通电池的光电流，Iph2 代表遮挡电池产生的光电 流，与等式 （2）中的遮挡透过率有关系，例如，当遮挡透过率为 35%时，Iph2 是 Iph1 的 0.35 倍。通过解 （3）-（6）式可以计算出I-V 的特性。 二、实验 图 2（a）和（b）是通过改变阴影透过率的情况下分别计算和实际测量的 I-V 特性曲线。当组件上的一个电池用不同的透过率 （一个组件由36 块电池组成） 时，短路电流大致变化不大。结果是透过率越低，电流随着电压的升高下降越快。 另一方面，开路电压基本上相同。由图可看出：测量结果与计算的结果相吻合。 OFweek 太阳能光伏网提供 图 2 以遮挡透过率为变量的 I-V 特性曲线 （遮挡电池数：1）（a）计算结果， （b）测量结果 图 3（a）和（b）是通过改变遮挡的电池书 目（阴影透过率都为35%）来计 算和测量 I-V 的特性。随着电池遮挡数目的增多，短路电流明显变低，然而开路 电压变化不是很大。由图可看出：测量与计算的结果相吻合。 OFweek 太阳能光伏网提供 图 3 以遮挡电池数目为变量的 I-V 特性曲线 （遮挡透过率为35%），（a） 计算结果，（b）测量结果