材料科学基础-7.ppt

　第四章　材料的凝固 第一节 液态结构 晶体材料在液态时的结构介于晶态与气态之间，它不像晶体中那样原子作规则的三维排列，但也不像气体中原子那样任意地分布着。 x-射线衍射发现：(1) 液体中原子间的平均距离比固体中略大；(2) 液体中原子的配位数比密排结构的固体的配位数减少，通常在8~11范围内。 第二节凝固的热力学条件和过程 纯金属的吉布斯自由能 过冷现象 液态材料冷却到Tm之下的某一温度Tn时开始凝固，过程开始后，由于释放出结晶潜热而使温度回升到略低于Tm的温度。此后，因为结晶潜热的释放刚好补偿冷却过程中向外界散失的热量，这样凝固过程就在一恒定温度下完成，冷却曲线上出现“平台”，凝固完成后由于没有结晶潜热抵消散失的热量，温度又继续下降。 ?T最大过冷度。 晶体材料凝固的一般过程 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第四节 晶核的生长 晶体（或晶核）生长：就是液相中的原子向晶体表面转移的过程，即液 ? 固界面向液相移动的过程。 只有当液 ? 固界面温度Ti低于Tm，即有一定的过冷度时，液 ? 固界面才能向液相移动，晶体生长才能进行。一般地，把液一固界面向液相移动时所需的过冷度称为动态过冷度。 晶体的生长涉及到生长方式（决定了晶体长大速度）和生长形态（反映出凝固后晶体的性质）。 晶体生长的方式和形态取决于液相中的原子转移到晶体表面的方式，它与液 ? 固界面的微观结构和界面前沿液相中的温度分布有关。 第四节 晶核的生长 第四节 晶核的长大 3 晶体生长方式 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 形核率 B 非均匀形核率 晶体的长大速率 晶体的长大速度vg主要取决于晶体的生长方式和过冷度。当晶体以连续生长方式生长时，随着过冷度的增大，晶体的平均长大线速度vg呈线性增大 晶体的平均长大速度与过冷度之间的关系可描述为， 其中v1为材料相关的比例常数，单位是m / s · K。凝固时晶体的长大速度还受所释放潜热的传导速度控制，对于具有粗糙界面的晶体材料，其结晶潜热一般较小，因此，连续生长时的长大速度较高。 晶体的长大速率 对于二维形核生长方式而言，晶体的生长是不连续的，相应的平均长大速率可表示为， 其中v2和b均为常数。当 很小时，vg非常小，这是因为二维形核所需形核功较大，且二维晶核需达到一定临界尺寸后才能进一步扩展。 藉螺型位错生长方式的平均长大速率可表示为， 其中v3为比例常数。由于液?固界面上所提供的螺型位错露头有限，也就是可填充原子的位置有限，故藉螺型位错生长时的长大速度相对于连续生长时要低。 凝固后晶粒尺寸的控制的途径 (1) 增大过冷度 随着过冷度的增大，凝固时形核率N和生长速度vg都将增加，且N的增加率大于vg的增加率，即增大过冷度会提高N / vg的比值，Z将增大，晶粒变细。 增大过冷度靠提高凝固时的冷却速度来实现，即通过改变铸造条件如降低浇注温度、提高铸型的吸热能力和导热性能等来实现。但利用提高冷却速度增大过冷度来细化晶粒往往只适用于小件和薄件，对大件就难以办到。 值得指出的是，过快的冷却可能导致铸件出现裂纹，造成废品。 凝固后晶粒尺寸的控制的途径 （2）加入形核剂 由于实际的凝固都为非均匀形核，为了提高形核率，可在熔液凝固之前加入一些细小的人工形核剂（也称孕育剂或变质剂），使之分散在熔液中作为不均匀形核所需的现成基底，这样能使晶核数目大大提高，晶粒显著细化，这种方法又称为孕育处理或变质处理。 凝固后晶粒尺寸的控制的途径 采用振动或搅拌等物理方法 在熔液凝固时施加振动或搅拌作用能得到细小的晶粒，具体实现方式可为机械振动、电磁搅拌、超声波振动等。采用上述物理方法对晶粒的细化作用主要是通过两个方面来实现的：由于能量的输入使液相的形核率提高；振动或搅拌使生长的晶体破碎，从而提供更多的结晶核心。 非均匀形核率明显增加时所需的过冷度也比均匀形核小 非均匀形核时，在约为0.02 Tm的过冷度下，非均匀形核率就已达到最大值。 非均匀形核率由低向高的过渡较为平缓，而且达到最大值后，凝固并未结束，非均匀形核率将继续下降直至凝固完毕。 4.5.2 凝固后的晶粒尺寸及其控制 晶粒尺寸对材料的性能有重要影响 细化晶粒是提高铸件力学性能的及改善材料压力加工性能的重要手段。 材料凝固后的晶粒尺寸可用单位体积内的晶粒数目或用单位面积上的晶粒数目Z来表示， 它取决于凝固过程中的形核率N和晶体长大速度vg，三者之间的关系为： 可见，晶粒尺寸随形核率的增大而减小，随着晶体长大速度的增加而增大。 。 * * 下一节 第四章 材料的凝固 前言 物质从液态到固态的转变过程称为凝固。 如果液态转变为结晶态