DMSO体系中Bi-Sb二元薄膜温差电材料的电沉积制备.pdfVIP

201 3年海峡曲Hj(卜海)lU了1U镀及表面处理学术交流会论义集 蘩 DMSO体系中Bi．Sb二元薄膜温差电材料的电沉积制备 李菲晖+，巩运兰，张弘青，耿瑛，徐亚伟，黄亚娟，王佳丽 (天津商业大学，理学院，天津，300134) 摘要：采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法分析了二甲基Ⅱ砜有机溶液中纯Bi、 纯sb以及Bi．Sb二元体系在Ti基体上的还原过程。结合分析结果采，L}j直流恒电位方式电沉积制备 了Bi．Sb二元薄膜温差电材料并采用x射线衍射以及塞贝克系数测试对不同电压下制备山的Bi-Sb 二元薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明，在Ti基体上Bi抖、Sb”离子的 氧化还原均为不可逆过程，前者的阴极还原过程仅由离子扩散造成，而后者的还原过程涉及到了离 子的吸附，二者沉积电位接近，共沉积过程是一步完成的。对制备山的材料的物相以及性能的分析 结果表明电沉积制备出的材料确为Bi—Sb二元合金，随着沉积电位的负移，温差薄膜电材料的表面 变得粗糙，在不同电位卜沉积出的材料均为P型温差电材料，塞贝克系数随电位变化不人。 关键词：薄膜温差电材料；电