ITO和p型SiCGe的接触特性的研究.pdfVIP

第十_-全一化t-阜，I，t敢-件和走电-件拳奉●讧 广I乏●20∞年11月 ITO与p型SiCGe的接触特性研究 陈春兰陈治明 西安理工大学电子工程系，西安710048 擅要本论文利用直流磁控溅射系统在P型SiCGe和载玻片衬底上沉积riO薄膜．研究不同工艺条件对rid薄膜方阻、透过率及 与p型SiCGe接触特性的影响．结果发现溅射功率为79．2W沉积的rio薄膜透过率最高，可达黯．15663％，方阻最低，为22．明蛔· 以溅射功率为79．2W的工艺条件在P型SiCGe上沉积fro薄膜，并研究其电压电流if-V 特性与退火温度的关系．结果表明，在 退火温度为400C的退火条件下获得欧姆特性，同时ITO薄膜的最高透过率高达89．58761％方阻为20．6,QJo． 关键词l SiCGe。欧姆接触。ITO，磁控溅射 1引言 SiC材料在高温、强辐射等恶劣条件下的应用有着Si材料无法比拟的优势，尤其在电力 电子技术领域有着诱人的应用前景。可是，SiC对大部分可见光和全部的红外光都不敏感，很 难在光电领域发挥其优势。而为了实现SiC器件的抗电磁干扰，有必要开发光控SiC器件。 件在可见光或近红外光领域的灵敏响应。 为了配合SiCGe／SiC光电二极管的开发，有必要制造透明导电电极。但是到目前为止，研 有一定的屏蔽作用。如果透明导电材料能够与SiCGe材料形成欧姆接