p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响.pdfVIP

第二部分硅基薄膜太阳电池 ·383· P层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响 刘石勇 曾湘波’ 彭文博 姚文杰 谢小兵 王 超 王占国 (中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室，北京100083) 摘要研究了P层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响。微晶硅(肛c—Si)太阳能电池采用等离子体增强 化学气相沉积(PECVD)技术制备。实验结果表明氢稀释比越高，温度越低，沉积的P层膜光学带隙越大。 将不同带隙P层应用于微晶硅电池，我们发现P层带隙过大将增加i／p界面处的能带失配，导致较多的缺陷 态，影响内建场的分布同时限制开路电压(k)，而P层带隙较小时，将降低电池的内建电势，同样影响n增 加。因而优化P层带隙将有利于提高电池的性能。 关键词P层带隙；i／p界面；微晶硅电池 EffectsoftheBand of onthePerformanceof Gapsp-layers