p-型(Bi1-XSbX)2(Te1-YSeY)3温差电薄膜材料的电化学制备、表征及其性能.pdfVIP

天津大学2010年博士生论坛化工分论坛论文集 朱艳兵+，王为+ (天津人学化I：学院廊用化学系，天津300072) 摘要：采用电化学摔电位沉积的方法，在镍螭体J：制蔷。f(Bi。Sb。)2(Tej．ySev)，温差电材料薄膜。为了提高 积制备的温差电材料能达到的最人功串闪了为O．48mW·K-2．m一，对应的薄膜材料组成为 a Bi0_ITSbl62T02sBSeo19 关键词：电沉积 温差电薄膜 结构 住能 (Bil-xSb。)2(Tel-ysey)3 of Thermoeleetrical properties Thermoelectricmaterials preparedbyelectrodeposition Zhu YB(Zhu