Al50Si50合金过冷熔体中Si晶体的生长.pdfVIP

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Al50Si50合金过冷熔体中Si晶体的生长.pdf

第40卷 第7期 金属学坂 Vbl.40NO.7 ACTAMETALLURGICASINICA 2004 683—688页 July PP.683—688 2004年7月 A150si50合金过冷熔体中si晶体的生长 葛丽丽t) 刘日平z) 王强z)王文魁t,z’ 1)燕山大学亚稳材料制备技术与科学重点实验室,秦皇岛066004 2)中国科学院物理研究所,北京100080 摘 要 利用电磁悬浮设备,通过在真空状态下反复加热与冷却处理,获得了A150Sis0(原子分数)合金熔体的深过冷,最大过 冷度为320K.观察了不同过冷度下凝固样品小球的表面及其截面深腐蚀后的组织形貌.过冷度较小时,初生相Si为板条状枝晶 形貌,并在其中发现了Al的层状沉积;过冷度较大时,初生相Si转变为粒状形貌.共晶体的形貌也随过冷度的增大转变为离异 共晶形态.较大过冷度下,微观组织中发现有晶粒细化现象,这与Si晶体生长受溶质的抑制及初生相Si枝晶的断裂有关. 关键词过冷凝固,Al—Si合金,电磁悬浮 中图法分类号TGlll 文献标识码A GRoWTHoFSILICoNINUNDERCooLED A150Siso MELT ALLoY GELilil),L,U Wenkuil,2) Ripin9i),WAⅣGQiangi),肌ⅣG ofMetastableMaterials 066004 1)Laboratory Science&Technology,YanshanUniversity,Qinhuangdao of Chinese of 100080 2)InstitutePhysics,TheAcademy Sciences,Bering Correspondent:LIU NationalNaturafScienceFoundation Supportedby ofChina(NoandChina—Germany CorporationFoundationlNo。GZ032/6) received2003—07—10.inrevisedform2003—10-21 Manuscript solidificationof ABSTRACTUndercooled isachieved A150Si50(atomicfraction)meltbyrepeat— and in levitation maximum of320K edlyheatingcoolingelectromagneticfacility.A undercooling on isobtained.Phase surfacesand etchedsectionsofthe solidifiedat morphologies deeply samples diffbre!nt areexamined.Thesiliconshowsfaceteddendriteswithstratifiedde— undercoolin

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