AuCdTe+ZnSHgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究.pdfVIP

第 卷第 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 20 4 Vo1. 20 * N o . 4 年 月 2001 8 J . Inf r ar ed Mi11im . Waves Au gu st * 2001 / - / 双层介质膜 A1 CdTe ZnS HgCdTe MIS 器件的制备及研究% 1 * 2) 3) 3) 3) 1) 3) 3) 周咏东 方家熊 李言谨 龚海梅 吴小山 靳秀芳 汤定元 1 ) 南京大学微结构物理实验室 江苏 南京 ( * * * 210093 * 2 ) 苏州大学物理系 江苏 苏州 * * * 215006 * 3 ) 中国科学院上海技术物理研究所 上海 * * 200083) 摘要 通过介质膜 薄膜材料的 - 束溅射沉积研究 结合 器件工艺 成功制备了以 ~ * * ~ ZnS cdTe Ar ~gcdTe ZnS cdTe 双层介质膜为绝缘层的 器件 通过对器件的 特性实验分析 获得了 界面电学特 ; - * / ~gcdTe MIS c V cdTe ~gcdTe 性参数 实验表明 溅射沉积介质膜 对 的表面钝化已经可以满足 红