AlSiO2Si表面Al2O3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 25 11 VO1. 25 NO. 11 年 月 2004 11 HINESE JOURNAL OF SEMI ONDU TORS NOV. 2004 ================================================================= / 2 / 表面 2 3 纳米图形的 Al SiO Si Al O AFM 阳极氧化制备方法 焦 正 李 珍 吴明红 顾建忠 王德庆 上海大学射线应用研究所 上海 ( 201800D 摘要 采用 阳极氧化方法 在控制 探针尖端电压和扫描方式的条件下 在 表面制备了 : / 2 / 2 3 AFM AFM A1 SiO Si A1 O 纳米图形 图形最小尺寸为 研究了表面吸附水层存在下 阳极氧化机理 实验结果表明 阳极氧化是 70nm. AFM . AFM 制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法. 关键词 纳米图形 纳米线 阳极氧化 : AFM A : 0779 0710 中图分类号: O447 文献标识码: A 文章编号: 0253-4177(2004D 11-1464-05 微细加工成为可能. 近年来在硅片表面利用AFM 1 引言 进行局部氧化的工作越来越多[5~ 9] . 本文采用 阳极氧化方法 在控制探针尖 AFM 近年来微细加工技术研究领域取得了很大进 端电压和扫描方式的条件下 在 表面对 / / A1 SiO2 Si 展 制备量子点 量子线以及具有量子效应的量子器 进行氧化 制备了纳米线 圆形 点阵等 纳 ~