CaMoO4Eu3+发光材料的制备和发光性质的研究.pdfVIP

第25卷第2期 无 机 化 学 学 报 V01．25No．2 2009年2月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY 350—353 CaM004：Eun发光材料的制备和发光性质的研究 王喜贵★ 薄素玲 齐 霞 娜米拉 李力猛 (内蒙古师范大学化学与环境科学学院，呼和浩特010022) (内蒙古师范大学磁性材料重点实验室，呼和浩特010022) CaMoO。：Eu蜡构。用XRD谱图进一步分析表明：800 个C矿．导致了晶体产生微小的晶体缺陷．从而形成具有P．n结的半导体。经过激发和发射谱图的测试发现：这种缺陷结构不但 nm)部分重 叠的EuⅥ65rim)的，R一玖电子跃迁得到了极大的加强，进而在A,,=465nm的发射谱图中，自激活荧光体M002-的发射强度被 nm)跃迁的红光发光强度被大大增强，使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。 大大减弱甚至猝灭．而Eu3*的sD一7F：(612 关键词：CaM004；Euh；发光性质 中图分类号：0614．6142：0614．33*8文献标识码：A 文章编号：1001-4861(2009)02．0350．04 andLuminescentof CaM004：Eu3+ Preparation Properties WANGXi-Gui。BO XiaNAMi·LaLI Su-LingQI Li—Meng and Normal Environment (CollegeofChemistry Science，lnncrMongoliaUniversity,Hohhot010022) Lab Normal Material,InnerMongoliaUniversity,Hohhot010022) 叫ey ofMagnetic Abstract：TheCaM004：Eu3+hasbeen withthe methodand roast— sample preparedCO—precipitationhigh—temperature method．TG—DTAshowthatthe ofthe is tothema)【imum thatithasformed ing spectra energy samplesup implying stablestructuresat800oC．XRD ofthe showsthatthe the a CaM004：Eu3+，at pattern sample singlephase，isrepre— sentativescheelitestructureof tothree twoEu3+inthecellofthe CaM004．DueCa2+replacedby CaM004：