CdSe纳米棒的制备及光电性能研究.pdfVIP

郝彦忠 等~ CdSe纳米棒的制备及光电性能研究 1997 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究。 9 1 Z Z 郝彦忠 9殷志刚 河北科技大学 理学院 河北 石家庄 ; 河北科技大学 化学与制药工程学院 河北 石家庄 1. 050018 Z. 050018 摘 要! 采用水热法制备了 CdSe 纳米棒9并用 实验所用水均为二次去离子水 \ \ \ 对其进行了表征O结果 表征 TEM SEM XRD TGA-DTA Z.Z 表明9纳米棒直径在 100nm 左右9长度约 300nm;纳米 用带有 辐射源的 / 型 射线衍射 CuKa D max- A X Y 棒具有闪锌矿的结构;将CdSe纳米棒均匀涂在导电玻 仪对纳米棒进行体相分析 确定其晶型 用JEOM 公 璃的导电面上9在 400 下煅烧 30min 后制备成纳米 司的JEM-Z00CX 型透射电镜观察产物纳米粒子尺寸 棒膜电极9并进行了光电化学研究9纳米棒膜结构电极 和形貌 确定产物的离径大小及分布 用 S-4800 型扫 最高单色光的光电转换效率( )可达 O IPCE 74 描电镜观察产物纳米粒子在导电基底上尺寸和形貌 关键词! 水热法 纳米棒光电化学 CdSe 确定产物的离径大小及分布 用美国Di italIn stru- g 中图分类号! 文献标识码! O64 A 公司生产的 型 ments NnanoSco e R IIIa Scanninp g 文章编号! # $ 1001-9731 Z006 1Z-1997-04 Probe Microsco ep 系统对制备的膜进行形貌表征 用 1 引 言 ULVAC TGD-5000 型热重分析仪对产物进行热重差