CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究.pdfVIP

第54卷第4期2005年4月 物 理学报 1000．．329012005／54(04)／1879．．06 ACTAPHYSICASINICA ⑥2005 Chin．Phys．Soc． CdS工Tel一z多晶薄膜的制备与性质研究* 李 卫 冯良桓+ 武莉莉 蔡亚平 张静全 郑家贵 蔡 伟 黎 兵 雷 智 张冬敏 (四川大学材料科学与工程学院，成都610064) (2004年9月8 13收到；2004年11月2213收到修改稿) 采用真空共蒸发方法制备了CdS；Te。一；多晶薄膜，并用原子力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了 CdS，Te，一，多晶薄膜的结构和性质．结果表明：薄膜均匀、致密、无微孔，当x≥o．5时为n型半导体，茹O．5时为P型 半导体．CdS。Te，一；多晶薄膜的光学能隙随z变化．结合薄膜的晶格常数和光学能隙得到了薄膜发生相变的组分，当 CdS，Te。一，多晶薄膜作为缓冲层的新型结构太阳电池． 关键词：CdS。Te，一，，共蒸发法，相变，太阳电池 PACC：8115G，7360F，8630J 构、光学和电学性质．但混合物中CdS与CdTe升华 1．引 言 点相差近100oC，这种方法难以控制源的温度．Wood 等归1先通过焙烧法获得需要组分的CdS。Te，一。粉末， 在CdTe薄膜太阳电池中，互扩散会在CdS／CdTe 再蒸发沉积CdS，Te，一。薄膜，并研究了结构和光学 界面形成组分不同的极薄一层CdS，Te，一。混晶…．研 究发现，过度的界面扩散会使器件性能恶化，适量的 CdS。Te，一；薄膜并研究了电学输运特性．但近空间升 界面扩散却对太阳电池有利怛1．因此，有效控制界面 华法通过改变温度控制沉积的组分，操作起来很困 互扩散或适宜引人CdS。Te，一。多晶薄膜，可获得高效 率的太阳电池． 层刻蚀获得CdS。Te。一。，但该法不能获得需要组分的 早在20世纪60年代，Vitrikhovskii等旧1研究了 CdS。Te：一；多晶薄膜．总之，上述提及的方法制备 CdS。Te。一；混晶，但未能获得所有组分的CdS，Te，一， CdS。Te，一；或准确控制其组分极其困难．而且对 (0≤戈≤1)．随后，Cruceanu等H1对CdS。Tel一，作了进 CdS。Te，一。结构和性质的研究并未获得一致的结果． 一步研究，也未能制备所有组分的CdS。Te。一。，他们 我们采用真空共蒸发法制备了不同组分的 认为CdS．CdTe系统中可能存在一个较大的两相共 存区域．此后Ohata等b1采用高温焙烧法制备了 结构和性质，提出了一种新型结构的CdTe太阳 CdS；Te。一；粉末，并作出了CdS．CdTe赝二元相图．采 电池． 用这种方法制备CdS。Te，一。，必须在高温(约1000 ℃)、高压(约3t／cm2)、长时间(3—7d)的条件下进 2．实 验 行．因此关于CdS。Te。一。的研究‘6’7。并不多见，特别是 对CdS。Te，一；多晶薄膜的研究旧_11‘就更少． 图1为制备CdS。Te。一。多晶薄膜的真空共蒸发 CdS。Te，一；多晶薄膜的制备，A1．Ani等。