CdTe薄膜的制备方法比较及其结构性能研究.pdfVIP

文章编号：100l一973l(2002)05一0508—03 CdTe薄膜的制备方法比较及其结构性能研究。 李锦，郑毓峰，徐金宝，孙严飞，陈树义 (新疆大学物理系，新疆乌鲁木齐830046) l％、 摘要：采用真空热蒸发vE、射频溅射沉积RF和垃距离升制Nd在CdTe膜中的含量．Nd片与靶面的面积比分别为O 牛cSS技术制备cdTe薄膜．井对其进行掺杂研究。样品利用 Nh xRD、sEM、紫外一可见分光光度计和霍尔系数洲量系统进行测 试。蛄果显示．css制备的cdTe薄膜与VE和RF法制备的薄 膜相比．晶粒戈，晶形好。适当的掺杂某些元素．适当的掺杂量． 可通过改变基片温度来制备不同条件下的纯CdTe薄膜。 可以改善CdTe薄膜的蛄晶性能．提高其导电性能。掺杂对2．1．3近距离升华 CdTe薄膜的光能隙影响不大． 关量词：cdTe薄膜：制备；掺杂 末，并过180目筛子．均匀置于石墨蒸发模具底部．厚度约 中围分类号：TN304 文献标识码：A I 与I 青 Ⅱ～Ⅵ族半导体材料CdTe．由于其在光伏器件中具有应用 前景，近年来颇受关注．CdTe的禁带宽度(约1．5ev)[】3与太阳石墨摸具中．当真空度达到lO。3l’a时，启动可控硅温度自动控 光谱匹配较好．是构造光电池良好的吸收体材料．CdTe薄膜的制电源．预设基片温度五一500℃，源温度丁2—6sO℃时升华。 制备工艺很多，有电沉积”]、真空热蒸发“’和射频溅射[”等。各 种各样的制备工艺及不同条件所得的cdTe薄膜的结构与性质上，并在真空环境下冷却． 有较大差异，而薄膜结构对其光电性质有很大的影响．近来．已 2．2样品测试 scIENcE 有关于部分稀土元素在CdTe基光电器件中掺杂作用的研究报 薄膜结构分析用日本MAc 18kw转靶x射线 道【5舢．但利用射频共溅射方法对cdTe薄膜进行稀土元素的掺衍射仪，扫描步宽O．02。．连续扫描2口。暗电导和载流子浓度测 杂尚未见报道。我们利用多晶CdTe与稀土材料(钕、钐、镨和 钆)的复合靶共溅射．实现对cdTe薄膜的掺杂并研究稀土离子外一可见分光光度计测试样品的光学性质，扫描波长范围230～ 对薄膜结构的影响。同时．我们还采用目前较为成功的方法一 900nm。 近距离燕发法镪备cdTe薄膜．并对其进行掺Te的改性研究， 3结果与讨论 研究掺杂对薄膜的结构和光电性质的影响。作为比较．我们还 3．1 xRD和sEM分析 利用传统的真空热蒸发法研究cdTe薄膜。希望对cdTe薄膜的 几种制备方法及其结构、电学、光学性质有一个较为全面的认 基片温度300℃真空蒸发、基片温度为375℃射频溅射和近 识，系统分析掺杂元素对CdTe薄膜光电性质的影响。 距离升华制备的纯CdTc膜的x射线衍射如图1所示。 2实验方法 2．】样品制备 2．1．1真空蒸发 高纯(5mol／L)多晶cdTe粉末置于距离基片12cm的钼舟 中．在5×101Pa的真空中．在不同的基片温度下(25℃、135℃、 225℃和300℃)真空蒸发制膜。 2．1．2射频溅射 圈1几种方法制备的纯CdTe薄膜的xRD田 射频溅射使用沈阳科仪厂产MIc450D型磁控与离子束复 lXRD of CdTechinfilms several Fig pattemspure deposltcdby methods