CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究.pdfVIP

陈继权 等：CdZnTe 晶体欧姆接触电极的制备工艺研究 12 15 CdZnTe 晶体欧姆接触电极的制备工艺研究* 1 陈继权，孙金池，李阳平，刘正堂 （西北工业大学材料学院，陕西 西安 710072 ） 摘 要：高阻CdZnTe 晶体是X 射线及γ射线探测最 高阻材料欧姆接触的形成机理和工艺探索是获得高 优秀的材料。制备CdZnTe 探测器最关键的技术之一 性能X 射线与γ射线探测的关键。然而影响接触的电 就是在CdZnTe 表面制备出欧姆接触薄膜电极。关于 学性能的因素很多，如电极接触材料、接触层沉积方 在CdZnTe 晶体表面制备接触电极用导电薄膜，大都 法、材料表面状况以及半导体性能等。本论文主要开 是采用蒸发镀膜技术，膜层与CdZnTe 晶体结合不很 展了CdZnTe 晶体上对欧姆接触电极的选材和制备工 牢固。本论文主要开展了在CdZnTe 晶体上欧姆接触 艺的研究，为CdZnTe 探测器电极的制备工艺技术奠 电极的选材和制备工艺的研究。理论分析了金属与 定基础。 CdZnTe 半导体的接触关系，根据影响因素选择Cu/Ag 2 接触材料的选择 合金作为电极薄膜材料。利用射频磁控溅射法成功地 在CdZnTe 晶体上制备出Cu/Ag 膜。研究发现Cu/Ag 欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的 合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度 附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度 的升高而降低。从理论上对这一规律进行了解释。 发生显著的改变。 关键词：碲锌镉；欧姆接触；薄膜；磁控溅射 从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的 中图分类号：o484 文献标识码：A 主要因素[3]有两个：金属、半导体的功函数和半导体 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属 1 引 言 －半导体之间接触的影响来看，要形成欧姆接触，对 于 n 型半导体，应该选择功函数小的金属，即满足 碲锌镉（CdZnTe ）半导体探测器是国际上近几 W W ，使金属与半导体之间形成n 型反阻挡层。而 m s 年研究出来的一种新型射线探测器[1] 。与传统的碘化 对于p 型半导体，应该选择功函数大的金属与半导体 钠闪烁体探头相比，它具有很高的探测效率和能量分 形成接触，即满足 W W ，使金属与半导体之间形 m s 辨率，可在室温下工作，免除了添加液氮的繁琐。而 成p 型反阻挡层。但是由于表面态的影响，功函数对 且，这种半导体探测器易于加工成像素阵列探测器， 欧姆接触形成的影响减弱，对于n 型半导体而言，即 配合桥接的硅集成信号读出电路可制成紧凑、高效、