CMOS带隙基准源研究现状.pdfVIP

VoL 第38卷第1期 微电子学 38，No．1 Mzcroelectronics Fek 2008年2月 2008 ·综合评述·‘练口烨脸。 CMOS带隙基准源研究现状 幸新鹏1，李冬梅2，王志华1 (1．清华大学微电子研究所，北京100084；2．清华大学电子工程系，北京100084) 摘要： 带隙基准源是集成电路中的重要单元，输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。 简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理；指出了限制其性能的主要因素；分析了低电源电 压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。 关键词： 带隙基准源；低电源电压；低功耗；高精度；高PSRR 中图分类号：TN432 文献标识码：A 文章编号：1004—3365(2008}01—0057—07 AnOverviewoftheResearchonCMOS Reference Bandgap Sources XING Zhi-hual Xin-pen91，LIDong-mei2，WANG 100084．P．RChina； (1．InstituteofMicroelectronics，TsinghuaUniv．，Beijing ， 2．Dept．ofElec。Engineer．，TsinghuaUniv．Beijing，100084，P．R。China) Abstract： referencesourceisan unitin circuits，whichreference Bandgap importantintegrated supplied voltage orcurrent of and ofCMOS referencesourcewas independenttemperaturesupplyvoltage．Theprinciple bandgap described，andthe was reference$ollrce8withlow designchallengepointedout．Finally，CMOSbandgap supply and PSRRwere voltage，lOWpower，highprecisionhigh analyzed，respectively． reference Keywords：Bandgap source；Low PSRR supplyvoltage；Lowpower；Highprecision；High E]巳气CC：1290 容标准CMOS工艺。而且掩埋齐纳基准源的输出 引 言 一般大于5V。相比之下，带隙基准源同时具有以 下优点：与标准CMOS工艺完全兼容；可以工作于 输出不随温度、电源电压变化的基准源在模拟