CuIn0.7Ga0.3Se2粉末的自蔓延高温合成.pdfVIP

第38卷 第8期 稀有金属材料与工程 、，01．38．No．8 RARE ANDENGINEERING 2009 2009矩 8月 METALMATERIALS August 的自蔓延高温合成 Culno．7Gao．3Se2粉末 周其刚1，王为民1，龙飞2，傅正义1，王皓1，王玉成1，张金咏1 (1．武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北武汉430070) (2．桂林工学院，广西桂林541004) 摘要：以cu，In，Ga，Se单质为原料用自蔓延高温合成法制备CuIno7Gao．3Se2粉末。通过X射线衍射、光电子能谱、 能量散射x射线分析、激光拉曼光谱等分析方法对产物的组成、结构和成分进行表征。结果表明，反应物投料比例， 合成气氛压力等因素对合成产物化学计量配比有显著的影响。利用自蔓延高温合成方法可以获得精确化学计量配比、 单相黄铜矿结构的CuIno．7Gao3Se2。 关键词：CIGS：自蔓延高温合成；成分分析 中图法分类号：TM914．4 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)08-1476-04 作为取之不尽，用之不竭的清洁能源太阳能受到 越来越多的重视，Cu(In，Ga)Se2(简称CIGS)薄膜太阳 能电池由于其具有效率高，性能稳定，可大面积成膜 mm的钢模成形。反应在SHS炉中进行。先抽真空后 等优点而成为各国研究的热点。目前，高效率太阳能 充入0．6MPa氩气，样品由置于上表面的钨丝引燃， 点火电流为15A。样品点燃后自蔓延反应迅速进行， 电池的Cu(In，Ga)Se2吸收层主要由共蒸发法…和溅射 硒化法【2】制备。该法可精确控制计量配比，但成膜面 几乎在1S内结束，得到灰黑色的CIGS产物。 积较小，需要高真空条件，设备投资大，大规模工业 化生产困难。近年来，制备前驱体涂覆液，再成膜的 非真空低成本制备工艺得到关注。KapurL3】采用氧化物 前驱体涂覆液，M．Kaelin[41采用硝酸盐，氯化物等前 VG 素价态由XPS(Thermo XM2 驱体涂覆液通过数码喷印，刮覆法等技术成膜制备 Pa)表征；采用EDS(Cenesis60S)对产物的 system 化学组成进行分析与表征。 Cu(In，Ga)Se2吸收层。如果在该工艺中，采用精确化学 计量配比的Culno．7Gao．3Se2粉代替上述氧化物，硝酸 2结果与分析 盐，氯化物制备涂覆液再成膜，更利于获得精确化学 GChen已报2．1反应过程分析 计量配比的单相Culno．7Gao_3Se2薄膜。Y 道用溶剂热法【5】和共沉淀法[6】可以制备CIGS纳米颗 实验观察发现，样品在自蔓延燃烧过程中尤其在 粒。T．Wada等利用机械化学法[．7】快速合成三元CIS粉反应的瞬间，有红色物质挥发，分析认为其主要成分 末为制备吸收层膜提供前驱体材料。自蔓延高温合成 是单质硒。单质硒沸点是685℃，通过混合物的 TG—DTA(图1)分析，证实挥发物主要是硒元素，反 high—temperaturesynthesis)具有快 (self-propagati