Ga阶梯式深结分布特性与应用研究.pdfVIP

vol 3 第36卷 增刊3 稀有金属材料与工程 36，SuppI 2007年 9月 R^REMEl址MAl卫RlALSANDENGrNEERINO Ga阶梯式深结分布特性与应用研究 裴素华，黄萍，张美娜，江玉清 (山东师范大学物理与电子科学学院，山东济南250014) 摘要：利用开管扩Ga进行低浓度掺杂一长时间结深推移一浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布，用于普 通晶闸管制备。实验与理论表明；J1和J2结附近Ga的较小浓度梯度q保证器件具有较高阻断耐压特性：b结附近Ga 的浓度平缓分布，改善了器件触发参数的分散性；P2区内Gn较高的电导率i和L结较大的注入比，同步协调和提高了 器件的通春特性与动忐特性。 关键词：Ga；阶梯式分布：晶闸管：电学性能 4 中图法分类号：TN305 文献标识码；A 文章编号：1002—185x(2007)s3—036—04 2 1 低浓度掺杂与结深推移 1 引言 众所周知，晶闸管类电力电子器件在直流输电、 无功补偿、大功率直流电源、超大功率和高压变频 统，硅片经热氧化后(氧化层厚度约为1000nm)进行 调速等方面有着广阔的应用领域，在今后的若干年内 Ga的低浓度掺杂。其扩散条件为：硅片温度％=1250 仍能保持快速发展势头。晶闸管是一种四层结构 mL，mjn，预沉 ℃，源温％∞尸900℃，H2流量为150 (P1n1P2“2)的大功率半导体器件，图1为器件平面横积时问fl-20 mln。沉积完毕，石英管内充满N2，在N2 h， 截面示意图【1．2】。该类器件电学性能的综合提升与硅单 流量为100mL／min下，进行结深推移，时间为30 晶村底尺寸、器件设计和制造技术紧密相关。近年来， 完成该阶段的扩散过程。 G 在制造技术中，为克服传统硼．铅(B．A1)双质扩散造 成器件触发参数分散，通态特性较差，d玎d“d甜，耐 量较低等弊病，大都采用闭管扩镓实现Ga在N型衬底 中的深结分布。而闭管扩镓需真空封装，工艺繁杂， 扩散参数不能随意调整和监测，硅片形变及表面易出 现台金点使成本升高。本实验利用开管扩镓系统口刊， 图l 晶闸管横截面结构示意图 SⅡucmre ofme cfOBssectloⅡ 分两段掺杂实现Ga的阶梯式深结分布用于晶闸管芯 Fig．1 diagramth”istor 片的制作。实验证明，硅表面浓度可控性、均匀性、 重复性好，能得到一条理想的浓度分布来满足各类电 2．2浓度补偿与再分布 参数的需要；在保证器件有足够高的耐压特性的同时， 在同一扩散炉内，用H2置换n2进行第2次浓度 使器件触发参数一致性明显改善，同时协调和提高了 补偿掺杂，掺杂条件同2．1中的预沉积。然后在n2保 器件的通态特性和动态特性；dwd，耐量≥1000v／us 护下进行再分布，时间为15h。至此则完成了开管形 (达国际最好水平)，d∥df耐量≥150A，us(达国内先 式下Ga的整个扩散过程。用sDY．4型数字式四探针 进水平)。为整流管