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Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备.pdf
第20卷第3期 材 料 研 究 学 报 V柚．20No．3
2O0 aHINBSE OF
6年6月 JOURNALMATERJALSRESEARCH June2006
Ge组分渐变的Sil—z一秒Ge。C影薄膜的制备
李志兵， 王荣华- 韩平- 李向阳。 龚海梅： 施毅， 张荣·
1．南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093
2．中国科学院上海技术物理所上海200083
摘要
研究丁生长温度等工艺参数的影响．结果表明，生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和台金薄膜晶格常教
的碱小，这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在C掺人量的变化可有效地调节薄膜的蘩带宽度，而提高生长温度有助于改善
关键词 金属材料，sil一。Ge。c。台金薄膜，化学气相淀积(cvD)
分类号TB383 文章编号1005．3093(2006)03一0305—04
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