HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究.pdfVIP

第55卷第11期2006年11月 物 理学 报 1000—329012006／55(11)／6147．05ACTAPHYSICASINICA ⑥2006 Chin．Phys．Soc． HW．MWECR．CVD法制备氢化微晶硅 薄膜及其微结构研究* 刘国汉1’3’ 丁 毅1’ 朱秀红2’ 陈光华2’ 贺德衍1’2’ 1)(兰州大学物理科学与技术学院，兰州730000) 2)(北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室，北京100022) 3)(甘肃省科学院传感技术研究所，兰州730000) (2005年11月2日收到；2006年4月2日收到修改稿) 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(btc．Si：H)薄膜．拉曼散 射和x射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明，当反应气体中SiH4浓度在3．6％一50％之间大范围变化时， ktc—Si：H薄膜均具有高的晶化体积分数．进一步的分析表明，在Sill4浓度较大时制备的薄膜，其结构以非晶一微晶的 过渡相为主．薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使Sill4气体高度分解，等离子体高度 电离． 关键词：微波电子回旋共振化学气相沉积，氢化微晶硅薄膜，拉曼散射，x射线衍射 PACC：8115H，7830，0570F 膜，但残留在薄膜中的金属往往很难完全去除．我们 1．引 言 采用的热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积 与氢化非晶硅(a—si：H)薄膜相比，氢化微晶硅体对生长薄膜损伤小、无内电极污染和衬底温度低 等优点．采用该系统，在比较大的H2稀释范围内快 (肚c．si：H)由于其高稳定性、高掺杂效率和载流子所 具有的高迁移率而成为近年来硅基材料研究的一个 速生长出了优质的”c—si：H薄膜． 热点HJ．t．tc—Si：H是一种混合相材料：在a．Si：H基体在扯c．si：H中，c．Si所占的比例、晶粒的大小和 中镶嵌有微小的晶体硅(c．Si)颗粒，晶粒的大小可晶粒边界的结构以及材料中的H含量和H的键合 为大约1nm到几十nm．所以，优质的肚c．Si：H兼具 方式对材料的光、暗电导率，稳定性和载流子的输运 a—Si：H和c—Si的优点，在应用于大面积显示器件、传 特性等光电特性均具有重要的影响¨o，而晶化程度 感器件、太阳能电池等方面具有很大的潜力旧’3。．目 和晶粒尺寸是决定btc．Si：H薄膜特性最关键的结构 前，采用肛c—Si：H制作的叠层太阳电池的初始效率参数． 已达13．1％H1，这主要是利用了a．Si：H和肛c．Si：H 各自对太阳光谱短波响应和长波响应高的特点． 2．实 验 制备”c—Si：H的方法与a—si：H基本相同，目前 主要采用等离子体化学气相沉积(PE—CVD)，高频等 离子体化学气相沉积(VHF—PECVD)和热丝化学气 相沉积(HW．CVD)技术b’61，通过在a．Si：H的制备工 要技术指标为：微波频率2．45GHz，微波输出功率连 艺参数中提高H，的稀释比来实现，但其生长速率 续可调，最大值1000W，系统最高真空度1×10。3 往往较低．最近出现了金属诱导晶化制备技术，虽然 Pa，样品台直径85mm，最高加热温度4000C．样品台 可以在很低的温度下以比较高的速率晶化a．Si薄 距离等离子体谐振腔出口130mm，辅助热丝距离样 万方数据