In3+、Ga3+掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究.pdfVIP

助 锨 对 抖 In3十、Ga3专掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究‘ 覃塞全，江一杭，赵 毅，姜昱志，乐 夕，肖定全，朱建因 (翻弼大学穗辩辩学与工程学院，酉j|l成都610064) 并研究其对体系压电性能和居照温度的影响。和 摘要： 将BiGaO。和BiInO。分别引入BiSc03-Pb一 彳i毡(BSPT)镕系，劳遗过氧纯物余裁法裁务了0。075 BiGa03一(O。925一o)BiSc03一￡Pb下i03(BGSPT。，z= 定的结构雅”，丽与PbTi03形成固溶体后，则可以傈挎 0．58～O．62)和o．075BiIn03一(0．925一z)BiSc03-xPb- 稳定的钙钛矿结构。先前的研究正作表明，BiGa03一 Ti03(BISPT。，立一0．6ln0。65)腻电陶瓷。X射线衍 餐分薪裹绢，援Ga绣和Biln03的替换渗杂麓幂影嚏 BSPT体系的钙钛矿枯掏。随着PbTio。含量的增加， BGSPTx和BISPT，陶瓷由三方锅钛矿结构避渐变到 驾方结构，葵三方一四方礁筠型捆器分别按于X一0．60 (鹾PB)，难淡获褥鞍窝鹣基邀牲。羧憩，在BSPT中亏| 和x=0。62黪}近。在准同登秘界辩近，BGSPL晦瓷 的压电常数d。。，机电耦合系数k。为分别为350pC／N 高居里温度且压电性能优异的新缴高温压电陶瓷。本 和52．o％，旆BISPT；的d33高述475pC／N，k。为52。 3落。套电常数秘温痰跨注潮斌裳甓，掺凡Ga”-q-瑕 有效地提升BSPT体系的居里温度，其MPB组分(z =o．60)屉熙温度高达472℃，而掺入ln3十对BSPT体 系的居里滠度影响贾《摹明显。 关键词：BSPT；高稀鬟温度透惫辩瓷；掺杂 术，研究T 中图分类母：TN384 文献标识码：A 结构，测试了其介电、聪电性能，分析了样品的居里温 度、压电性能与组分之阅的关系。 文章编号：1001-9731(2008》12—1978-04 l亏l富 2实验方法 近年来随着人们对压电换能器工作温度的要求越 来越裹，嵩涤压电麓辩豹酝究应孀逐灏戎为一个研究 热点。例如，在漓势下使用鹃声波溅并换麓器就需要 工作在200～300℃的温度下。传统的Pb(Zr，Ti)Q (99．99％)混合并加入凭水乙醇进行湿磨。研磨好的 (PZT)压电陶瓷在这～温度下已发生相变，转变成为 藏料在850-c预烧2h，然后将预烧粉料蘑缨，再加入 苓麓工终纛篷耄模式下豹颁迄襁【lo】。 适量聚乙烯醇溶滚避稽造粒。舞769YP224B疆片撬， 2001弗，Eitel等【3]通过将PbTi03(PT)与BiSc饶 以单向加愿的干压成毅方式，在聪强20～22MPa左 复合，制备丁一种具有商居里温度(丁c450℃)的新型 铤钛矿燮缝擒铁邀侮(1一毒)BiSc饶-xPbTi03 俸凌冀。将坯俸试冀藏入密封熬溺玉罐褒内簌500．c (BSPT)。出于BSPT的瑶里温度t院PZT的高将 近100℃，因此BSPT可以比PZT在更高的溆度下使 结2h。为避免PbO的挥发，在加盖的刚玉坩埚中放置 用。因此，Bi(Me)03一PbTi03(Me为三价蹋离子，如 逶量夔嚣缀分粉辩终秀气氛{}}偿